[发明专利]负电压检测电路

说明书

本发明提供了一种负电压检测电路，包括：恒流源支路、负电压采样支路、比较基准电压支路、电流镜和比较器，其中电流镜用于将所述恒流源支路产生的电流镜像至所述负电压采样支路和所述比较基准电压支路，当所述比较器的正向输入端的电压大于或者等于所述比较器的负向输入端的电压时，所述比较器输出翻转，即此时判断检测到待测负电压。根据本发明实施例的负电压检测电路，通过将恒流源支路产生的电流镜像至所述负电压采样支路和所述比较基准电压支路，能很好的实现温度补偿，提高负电压的检测精度。

技术领域

本发明涉及电压检测技术领域，特别涉及一种负电压检测电路。

背景技术

传统的电压检测电路只能检测正电压，对于负电压的检测，受控于常规的比较器只能比较零伏以上的电平，一般需要经过电平的移位到正电平后才能进行检测。现有技术中一般通过加压的方式抬升电压。图1为现有技术中常见的一种负电压检测电路，通过在检测端VM与电源端VDD串联电阻R1与二极管D1，利用正向导通时二极管D1上会产生压降的原理，将比较器COM输入端VN的电压抬升，以此完成电位的转换来实现负电压检测。在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：这种检测电路没有经过温度补偿和修正，因此，检测精度不高，受温度影响较大。

发明内容

本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一。

为此，本发明的目的在于提出一种负电压检测电路，该负电压检测电路能很好的实现温度补偿，检测精度高。

为达到上述目的，本发明的实施例提出了一种负电压检测电路，该负电压检测电路，包括：恒流源支路，用于产生恒定的电流；负电压采样支路，所述负电压采样支路包括第一电阻，所述第一电阻的一端接待测负电压； 比较基准电压支路，所述比较基准电压支路包括第二电阻，所述第二电阻的一端接地；电流镜，所述电流镜分别与所述恒流源支路、负电压采样支路和所述比较基准电压支路连接，用于将所述恒流源支路产生的电流镜像至所述负电压采样支路和所述比较基准电压支路；比较器，所述第一电阻的另一端接所述比较器的正向输入端，所述第二电阻的另一端接所述比较器的负向输入端，当所述比较器的正向输入端的电压大于或者等于所述比较器的负向输入端的电压时，所述比较器输出翻转。

根据本发明实施例的负电压检测电路，通过将恒流源支路产生的电流镜像至所述负电压采样支路和所述比较基准电压支路，能很好的实现温度补偿，提高负电压的检测精度。

优选地，所述电流镜包括：第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管共栅极和源极，所述第一MOS管的栅极和漏极相连且所述第一MOS管的源极接电源，所述第一MOS管的漏极接所述恒流源支路，所述第二MOS管的漏极接所述第一电阻的另一端，所述第三MOS管的漏极接所述第二电阻的另一端。

优选地，所述待测负电压的大小可以用如下公式表示：

VM= I0(R2-R1)

其中，VM为待测负电压，I0为恒流源支路产生的恒定的电流，R1为第一电阻，R2为第二电阻。

优选地，所述恒流源支路包括恒流源，所述第一MOS管的漏极接所述恒流源。

优选地，所述恒流源支路包括：第四MOS管、运算放大器和第三电阻，所述第四MOS管与所述第三电阻串联，所述第四MOS管的漏极接所述第一MOS管的漏极，所述第四MOS管的栅极接所述运算放大器的输出端，所述第四MOS管的源极接所述运算放大器的负向输入端，所述运算放大器的正向输入端接参考电压。

优选地，所述第三电阻与所述第一电阻和第二电阻为相同类型的电阻，所述第三电阻与所述第一电阻和第二电阻具有相同的温度系数。

优选地，所述负电压采样支路还包括修调电阻，所述修调电阻的一端与所述第一电阻的另一端连接，所述修调电阻的另一端接所述比较器的正向输入端。