[发明专利]负电压检测电路

权利要求书

1.一种负电压检测电路，其特征在于，包括：

恒流源支路，用于产生恒定的电流；

负电压采样支路，所述负电压采样支路包括第一电阻，所述第一电阻的一端接待测负电压；

比较基准电压支路，所述比较基准电压支路包括第二电阻，所述第二电阻的一端接地，所述第一电阻与所述第二电阻具有相同的温度系数；

电流镜，所述电流镜分别与所述恒流源支路、负电压采样支路和所述比较基准电压支路连接，用于将所述恒流源支路产生的电流镜像至所述负电压采样支路和所述比较基准电压支路；

比较器，所述第一电阻的另一端接所述比较器的正向输入端，所述第二电阻的另一端接所述比较器的负向输入端，当所述比较器的正向输入端的电压大于或者等于所述比较器的负向输入端的电压时，所述比较器输出翻转。

2.如权利要求1所述的负电压检测电路，其特征在于，所述电流镜包括：

第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管共栅极和源极，所述第一MOS管的栅极和漏极相连且所述第一MOS管的源极接电源，所述第一MOS管的漏极接所述恒流源支路，所述第二MOS管的漏极接所述第一电阻的另一端，所述第三MOS管的漏极接所述第二电阻的另一端。

3.如权利要求2所述的负电压检测电路，其特征在于，所述待测负电压的大小可以用如下公式表示：

VM= I0(R2-R1)

其中，VM为待测负电压，I0为恒流源支路产生的恒定的电流，R1为第一电阻，R2为第二电阻。

4.如权利要求2所述的负电压检测电路，其特征在于，所述恒流源支路包括恒流源，所述第一MOS管的漏极接所述恒流源。

5.如权利要求2所述的负电压检测电路，其特征在于，所述恒流源支路包括：

第四MOS管、运算放大器和第三电阻，所述第四MOS管与所述第三电阻串联，所述第四MOS管的漏极接所述第一MOS管的漏极，所述第四MOS管的栅极接所述运算放大器的输出端，所述第四MOS管的源极接所述运算放大器的负向输入端，所述运算放大器的正向输入端接参考电压。

6.如权利要求5所述的负电压检测电路，其特征在于，所述第三电阻与所述第一电阻和第二电阻为相同类型的电阻，所述第三电阻与所述第一电阻和第二电阻具有相同的温度系数。

7.如权利要求2所述的负电压检测电路，其特征在于，所述负电压采样支路还包括修调电阻，所述修调电阻的一端与所述第一电阻的另一端连接，所述修调电阻的另一端接所述比较器的正向输入端。

8.如权利要求7所述的负电压检测电路，其特征在于，所述修调电阻与所述第一电阻和第二电阻为相同类型的电阻，所述修调电阻与所述第一电阻和第二电阻具有相同的温度系数。

9.如权利要求1所述的负电压检测电路，其特征在于，所述电流镜包括：

第一MOS管，所述第一MOS管的栅极和漏极相连且所述第一MOS管的源极接电源，所述第一MOS管的漏极接所述恒流源支路；

第二MOS管组合，所述第二MOS管组合包括第二MOS管和N个第一支路，每个所述第一支路包括第一支路MOS管和熔断电阻，所述第一支路MOS管与所述第二MOS管共栅极和源极，所述熔断电阻的一端接所述第一支路MOS管的漏极，所述熔断电阻的另一端接所述第一电阻的另一端；

第三MOS管组合，所述第三MOS管组合包括第三MOS管和N个第二支路，每个所述第二支路包括第二支路MOS管和熔断电阻，所述第二支路MOS管与所述第三MOS管共栅极和源极，所述熔断电阻的一端接所述第二支路MOS管的漏极，所述熔断电阻的另一端接所述第二电阻的另一端。

10.如权利要求2-9任一所述的负电压检测电路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均为P沟道增强型MOS管。