[发明专利]一种光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法

权利要求书

1.一种光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1)：提供一光电参数测试不合格的白光LED芯片，所述芯片包括设有电极的第一表面和第二表面，所述第一表面为出光面，所述第二表面为与第一表面相对的另一表面；

步骤2)：采用湿法腐蚀或干法刻蚀去除第一表面的荧光粉混合层；

步骤3)：在去除荧光粉混合层后的第一表面的电极上涂覆光刻胶；

步骤4)：在第一表面涂覆荧光粉混合层，并固化；

步骤5)：对所述荧光粉混合层表面进行研磨抛光；

步骤6)：去除电极上面的光刻胶，并对所述芯片进行光电参数测试；

步骤2)中采用去胶剂进行湿法腐蚀，所述干法刻蚀为采用氟化物气体进行反应离子刻蚀。

2.根据权利要求1所述的光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述去胶剂的主要成分为1-甲基-2-吡咯烷酮(1-Methy1-2-Pyrrolidinone)、乙醇胺，所述去胶剂与水的比例为1:0～1:20。

3.根据权利要求1所述的光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述氟化物气体为三氟甲烷。

4.根据权利要求1所述的光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述干法刻蚀的时间为1～30min。

5.根据权利要求1所述的光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，步骤2)中所述荧光粉混合层为荧光粉和粘连剂的混合物。

6.根据权利要求5所述的光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述粘连剂为硅胶、变形硅树脂、环氧树脂、变形环氧树脂及丙烯树脂中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，步骤5)中所述研磨前荧光粉混合层的厚度为10um～1000um，研磨后荧光粉混合层的厚度为5um～100um。

8.根据权利要求1所述的光电参数测试不合格的白光LED芯片重加工的方法，其特征在于，所述LED芯片为垂直结构、正装结构、垂直倒装结构、高压结构、以及垂直倒装高压结构中的一种。