[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor LiquidCrystalDisplay，以下简称TFT-LCD)被越来越多的应用到人们的生活 当中，为了满足较高的市场需求，生产厂商在制作TFT-LCD的过程中，就需 要提高TFT-LCD的生产良率。而在TFT-LCD的制作过程中，各个制作环节 都有可能产生静电放电(ElectrostaticDischarge，以下简称ESD)现象，导致所 生产的TFT-LCD不能够正常工作，降低了TFT-LCD的生产良率。

为了避免这种由于ESD现象所导致的降低TFT-LCD生产良率的问题， 现有技术中一般采用ESD保护结构将制作TFT-LCD的过程中产生的电荷均 匀扩散，来避免ESD现象的产生。但是现有技术中采用的ESD保护结构均是 在TFT-LCD中的阵列基板制作结束后才形成的，这就使得在阵列基板的制作 过程中所产生的电荷不能够被ESD保护结构均匀扩散，即在阵列基板的制作 过程中，ESD现象仍然具有较高的发生机率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法，用于解决在阵列基 板的制作过程中，ESD现象具有较高的发生机率的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种阵列基板，包括至少一个ESD结构，所述ESD结构包括第一薄膜晶 体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的控制端与所述第一薄膜晶体 管的输入端相连，且与所述阵列基板中的信号线连接，所述第一薄膜晶体管 的输入端与所述第二薄膜晶体管的输出端相连，所述第一薄膜晶体管的输出 端与所述第二薄膜晶体管的输入端相连；所述第二薄膜晶体管的控制端与所 述第二薄膜晶体管的输入端相连，且与所述阵列基板中的公共电极连接；所 述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上设有第一过孔，所述第一过孔中设有第一 连接介质，所述第一连接介质用于连接所述第一薄膜晶体管的控制端和所述 第一薄膜晶体管的输入端；所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层上设有第二过 孔，所述第二过孔中设有第二连接介质，所述第二连接介质用于连接所述第 二薄膜晶体管的控制端和所述第二薄膜晶体管的输入端。

本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上制作TFT阵列和ESD结构；

当制作所述ESD结构中的第一薄膜晶体管时，在形成所述第一薄膜晶体 管的栅极绝缘层之后，形成所述第一薄膜晶体管的半导体层之前，在所述第 一薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成第一过孔；

在形成所述第一薄膜晶体管的半导体层之后，在所述第一过孔中形成第 一连接介质；

当制作所述ESD结构中的第二薄膜晶体管时，在形成所述第二薄膜晶体 管的栅极绝缘层之后，形成所述第二薄膜晶体管的半导体层之前，在所述第 二薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成第二过孔；

在形成所述第二薄膜晶体管的半导体层之后，在所述第二过孔中形成第 二连接介质。

本发明提供的阵列基板中，包括至少一个ESD结构，这种ESD结构中的 第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上设有第一过孔，且在第一过孔中设有第一连 接介质，在ESD结构中的第二薄膜晶体管的栅极绝缘层上设有第二过孔，并 在第二过孔中设有第二连接介质；这样当阵列基板中TFT阵列的源漏金属层、 第一薄膜晶体管的输入端、第一薄膜晶体管的输出端、第二薄膜晶体管的输 入端和第二薄膜晶体管的输出端同时沉积后，第一连接介质就能够将第一薄 膜晶体管的控制端和第一薄膜晶体管的输入端连接，第二连接介质就能够将 第二薄膜晶体管的控制端和第二薄膜晶体管的输入端连接，即形成了完整的 ESD结构。这样再对阵列基板进行后续的源漏金属层的刻蚀、过孔掩膜以及 像素电极掩膜时，ESD结构就能够将产生的静电很好的释放，从而降低了ESD 现象在阵列基板制作过程中的发生几率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部 分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的 不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的ESD结构的剖视图；

图2为本发明实施例提供的ESD结构的示意图；