[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括至少一个ESD结构，所述ESD结构包括第一薄 膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的控制端与所述第一薄膜 晶体管的输入端相连，且与所述阵列基板中的信号线连接，所述第一薄膜晶 体管的输入端与所述第二薄膜晶体管的输出端相连，所述第一薄膜晶体管的 输出端与所述第二薄膜晶体管的输入端相连；所述第二薄膜晶体管的控制端 与所述第二薄膜晶体管的输入端相连，且与所述阵列基板中的公共电极连接， 其特征在于，

所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上设有第一过孔，所述第一过孔中设 有第一连接介质，所述第一连接介质用于连接所述第一薄膜晶体管的控制端 和所述第一薄膜晶体管的输入端；

所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层上设有第二过孔，所述第二过孔中设 有第二连接介质，所述第二连接介质用于连接所述第二薄膜晶体管的控制端 和所述第二薄膜晶体管的输入端。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接介质、 所述第二连接介质、所述第一薄膜晶体管的输入端、所述第一薄膜晶体管的 输出端、所述第二薄膜晶体管的输入端、所述第二薄膜晶体管的输出端以及 所述阵列基板中TFT阵列的源漏金属层均采用相同的导电材料。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电材料为透明 的金属氧化物。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述导电材料为金属。

5.一种如权利要求1-4中任一项所述阵列基板的制作方法，其特征在于， 包括以下步骤：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上制作TFT阵列和ESD结构；

当制作所述ESD结构中的第一薄膜晶体管时，在形成所述第一薄膜晶体 管的栅极绝缘层之后，形成所述第一薄膜晶体管的半导体层之前，在所述第 一薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成第一过孔；

在形成所述第一薄膜晶体管的半导体层之后，在所述第一过孔中形成第 一连接介质；

当制作所述ESD结构中的第二薄膜晶体管时，在形成所述第二薄膜晶体 管的栅极绝缘层之后，形成所述第二薄膜晶体管的半导体层之前，在所述第 二薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成第二过孔；

在形成所述第二薄膜晶体管的半导体层之后，在所述第二过孔中形成第 二连接介质。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过一次 构图工艺形成所述第一连接介质、所述第一薄膜晶体管的输入端、所述第一 薄膜晶体管的输出端、第二连接介质、所述第二薄膜晶体管的输入端、所述 第二薄膜晶体管的输出端以及所述TFT阵列的源漏金属层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导电 材料为透明的金属氧化物。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导电 材料为金属。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在一次构 图工艺中同时形成所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层和所述第二薄膜晶体管 的栅极绝缘层；

在一次构图工艺中同时形成所述第一过孔和所述第二过孔；

在一次构图工艺中同时形成所述第一薄膜晶体管的半导体层和所述第二 薄膜晶体管的半导体层。