[发明专利]单晶炉用热场及单晶炉有效
申请号: | 201610177122.7 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN107227488B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 邓浩;张龙龙;刘培东;张骏凯 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 罗笛 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶炉用热场 单晶炉 | ||
本发明公开的单晶炉用热场,包括坩埚及位于其上方的冷却件,还包括护套,护套设置于冷却件靠近坩埚中心轴线的一侧。本发明公开的单晶炉,包括炉体和如上所述的单晶炉用热场,单晶炉用热场位于炉体内。本发明的单晶炉用热场及单晶炉解决了现有技术拉制单晶时提高拉晶速度与提高单晶质量两者不可兼顾的问题。本发明的单晶炉用热场及单晶炉具有冷却件,可以优化温度梯度、提高拉晶速度并降低拉晶成本;并且由于设置了护套,还能确保生长的晶体不受杂质污染、提供具有良好少子寿命的晶体产品。
技术领域
本发明属于单晶制造设备技术领域,具体涉及一种单晶炉用热场,还设计一种具有该单晶炉用热场的单晶炉。
背景技术
随着世界经济的不断发展,现代化建设对高效能源需求不断增长。光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的一种主要能源,日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料,拥有广泛的市场需求。直拉单晶硅生长方法是一种常见的单晶生长方法,其生长过程是在单晶炉中,将籽晶浸入熔体,依次实施引晶、放肩、转肩、等径及收尾过程,最后获得单晶硅棒。为了降低拉晶成本,一种途径是提升拉晶速度,但拉晶速度的提升往往带来晶体品质的下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种单晶炉用热场,解决了现有的热场在提高拉晶速度和提高单晶品质方面难以同时兼顾的问题。
本发明的目的还在于提供一种具有该单晶炉用热场的单晶炉,解决了现有的单晶炉存在的在提高拉晶速度和提高单晶品质方面难以同时兼顾的问题。
本发明所采用的一种技术方案是:单晶炉用热场,包括坩埚及位于其上方的冷却件,还包括护套,护套设置于冷却件靠近坩埚中心轴线的一侧。
本发明的特点还在于,
护套为石英材质。
护套具有相对的第一表面和第二表面,第一表面靠近坩埚中心轴线的一侧,第二平面与冷却件相对设置。
第二表面与冷却件间隔设置或者相贴合接触。
还包括位于坩埚上方的热屏,冷却件位于热屏与护套之间。
本发明所采用的另一种技术方案是:单晶炉,包括炉体和如上所述的单晶炉用热场,单晶炉用热场位于炉体内。
本发明的特点还在于,
炉体包括相连接的主室和副室,主室内具有坩埚、保温盖及冷却件,保温盖和冷却件依次位于坩埚靠近副室的一端,冷却件靠近坩埚中心轴线的一侧还设置有护套。
炉体包括相连接的主室和副室,主室内具有坩埚及位于坩埚靠近副室一端的保温盖,主室内还具有第一冷却件和第二冷却件,第一冷却件位于坩埚与保温盖之间,第二冷却件位于保温盖靠近副室的一端,第一冷却件和第二冷却件靠近坩埚中心轴线的一侧共同设置有护套。
护套上对应于第一冷却件和第二冷却件的间隙处开设有取光孔。
主室内还设置有位于坩埚与保温盖之间的热屏,第一冷却件位于热屏与护套之间。
本发明的有益效果是:本发明的单晶炉用热场及单晶炉解决了现有技术拉制单晶时提高拉晶速度与提高单晶质量两者不可兼顾的问题。本发明的单晶炉用热场及单晶炉具有冷却件,可以优化温度梯度、提高拉晶速度并降低拉晶成本;并且由于设置了护套,还能确保生长的晶体不受杂质污染、提供具有良好少子寿命的晶体产品。
附图说明
图1是本发明的单晶炉第一实施例的结构示意图;
图2是本发明的单晶炉第二实施例的结构示意图;
图3是本发明的单晶炉第三实施例的结构示意图。
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