[发明专利]监控膜厚机的量测的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种监控膜厚机的 量测的方法。

背景技术

过去数十年来，晶体管的尺寸不断地变小。从几个微米(micrometer)的等 级缩小到目前的几个纳米，晶体管尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升。 第一，越小的晶体管象征其通道长度减少，让通道的等效电阻也减少，可以让 更多电流通过。第二，晶体管的面积越小，制造芯片的成本就可以降低，在同 样的封装里可以装下更高密度的芯片。一片集成电路制程使用的晶圆尺寸是固 定的，所以如果芯片面积越小，同样大小的晶圆就可以产出更多的芯片，于是 成本就变得更低了。第三，晶体管的尺寸变小意味著栅极面积减少，如此可以 降低等效的栅极电容。越小的栅极通常会有更薄的栅极氧化层。栅极氧化层生 长完表面会有一层水气覆盖，为了确保栅极氧化层量测的准确性，膜厚机台在 量测之前会用激光对量测点的水气照射再量测(Idesorber)，以便得到栅极氧化 层的真实厚度。

目前监控量测状况，控片先经过量测颗粒机量测缺陷，然后经过膜厚量测 机台量测，最后再经过颗粒机量测缺陷。通过两次颗粒机量测的增加缺陷数判 断量测状况。现在用来监控颗粒机的控片是循环使用的。一旦被膜厚机将表面 损坏，后续再循环使用的时候就无法监控到量测状况。

但是，现在用来监控颗粒机的控片是循环使用的。一旦被膜厚机将表面损 坏，后续再循环使用的时候就无法监控到量测状况。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能 够更好的监控膜厚机的状况的技术方案。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种监控膜厚机的量测的方 法，包括：

第一步骤：在颗粒量测机台量测控片的前值缺陷；

第二步骤：在厚度量测机台测量控片表面；

第三步骤：在颗粒量测机台量测控片的后值缺陷；

第四步骤：消耗控片的硅基底以生长氧化层；

第五步骤：将控片表面的氧化层清洗掉。

优选地，在第二步骤中采用激光对量测点的水气照射再量测，以便得到控 片的栅极氧化层的真实厚度。

优选地，在第四步骤中，生长4000A氧化层。

优选地，在第四步骤中，消耗1800A的硅基底。

优选地，在第四步骤中，生长的氧化层的厚度介于2000A至6000A之间。

优选地，在第四步骤中，消耗的硅基底的厚度不小于500A。

优选地，在第四步骤中，消耗的硅基底的厚度介于900A至2700A之间。

优选地，在第五步骤中，通过清洗机将控片表面的氧化层清洗掉。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整 的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的监控膜厚机的量测的方法的 流程图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构 的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或 者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发 明的内容进行详细描述。

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的监控膜厚机的量测的方法的 流程图。

如图1所示，根据本发明优选实施例的监控膜厚机的量测的方法包括：

第一步骤S1：在颗粒量测机台量测控片的前值缺陷；

第二步骤S2：在厚度量测机台测量控片表面，其中采用激光对量测点的水 气照射再量测，以便得到控片的栅极氧化层的真实厚度；

第三步骤S3：在颗粒量测机台量测控片的后值缺陷；由此，可以通过增加 的缺陷数判断测量状况；

第四步骤S4：消耗控片的硅基底以生长氧化层；例如，在第四步骤S4中， 生长4000A氧化层，消耗大约1800A的硅基底；优选地，在第四步骤S4中， 生长的氧化层的厚度介于2000A至6000A之间。优选地，在第四步骤S4中， 消耗的硅基底的厚度不小于500A。例如，消耗的硅基底的厚度介于900A至 2700A之间。