[发明专利]监控膜厚机的量测的方法在审
| 申请号： | 201610173398.8 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105679692A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 祁鹏;王智;苏俊铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监控 膜厚机 方法 | ||
1.一种监控膜厚机的量测的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在颗粒量测机台量测控片的前值缺陷；
第二步骤：在厚度量测机台测量控片表面；
第三步骤：在颗粒量测机台量测控片的后值缺陷；
第四步骤：消耗控片的硅基底以生长氧化层；
第五步骤：将控片表面的氧化层清洗掉。
2.根据权利要求1所述的监控膜厚机的量测的方法，其特征在于，在第二 步骤中采用激光对量测点的水气照射再量测，以便得到控片的栅极氧化层的真 实厚度。
3.根据权利要求1或2所述的监控膜厚机的量测的方法，其特征在于，在 第四步骤中，生长4000A氧化层。
4.根据权利要求1或2所述的监控膜厚机的量测的方法，其特征在于，在 第四步骤中，消耗1800A的硅基底。
5.根据权利要求1或2所述的监控膜厚机的量测的方法，其特征在于，在 第四步骤中，生长的氧化层的厚度介于2000A至6000A之间。
6.根据权利要求1或2所述的监控膜厚机的量测的方法，其特征在于，在 第四步骤中，消耗的硅基底的厚度不小于500A。
7.根据权利要求1或2所述的监控膜厚机的量测的方法，其特征在于，在 第四步骤中，消耗的硅基底的厚度介于900A至2700A之间。
8.根据权利要求1或2所述的监控膜厚机的量测的方法，其特征在于，在 第五步骤中，通过清洗机将控片表面的氧化层清洗掉。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
