[发明专利]一种发光二极管芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201610171660.5 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105720143B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 尹灵峰;谢鹏;高艳龙;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/14;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 制作方法 | ||
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底的第一表面上依次生长N型层、发光层、P型层，形成外延层；
在所述P型层上形成从所述P型层上延伸到所述N型层的凹槽；
在所述P型层上形成电流阻挡层；
在所述电流阻挡层和所述P型层上形成透明导电薄膜；
在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域边缘形成绝缘层，所述绝缘层包括多个间隔排列的绝缘单元，所述绝缘单元的面积沿从中心向四周的方向逐渐减小；
在所述绝缘层的遮挡下对所述透明导电薄膜进行高温退火；
在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域形成P型电极，在所述N型层上形成N型电极；
对所述衬底进行减薄；
在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；
对所述DBR、所述衬底、以及所述外延层进行切割和分裂，得到相互独立的发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘单元的横截面为圆形或环形。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为5纳米～5微米。
4.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层为SiO2层或SiN层。
5.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域形成所述绝缘层。
6.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，在所述在所述绝缘层的遮挡下对所述透明导电薄膜进行高温退火之后，所述制作方法还包括：
去除所述绝缘层。
7.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述绝缘层的遮挡下对所述透明导电薄膜进行高温退火，包括：
采用快速热退火RTA技术对所述透明导电薄膜进行高温退火。
8.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述高温退火的温度为400～700℃。
9.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电薄膜为氧化铟锡ITO、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃AZO、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃GZO、铟镓锌氧化物IGZO、NiAu、石墨烯中的一种。
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