[发明专利]一种发光二极管芯片的制作方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底的第一表面上依次生长N型层、发光层、P型层，形成外延层；在P型层上形成从P型层上延伸到N型层的凹槽；在P型层上形成电流阻挡层；在电流阻挡层和P型层上形成透明导电薄膜；在透明导电薄膜上电流阻挡层对应的区域边缘形成绝缘层，绝缘层包括多个间隔排列的绝缘单元；在绝缘层的遮挡下对透明导电薄膜进行高温退火；在透明导电薄膜上电流阻挡层对应的区域形成P型电极，在N型层上形成N型电极；对衬底进行减薄；在衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR；对DBR、衬底、以及外延层进行切割和分裂。本发明可以提高发光效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片的制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种半导体发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等。

现有的LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层，P型层上开设有从P型层延伸到N型层的凹槽，电流阻挡层、电流扩展层、P型电极依次设置在P型层上，N型电极设置在N型层上。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

形成电流扩展层后会在O₂的参与下对电流扩展层进行退火，如果O₂含量太多会降低电流扩展层的导电性能，如果O₂含量太少会降低光线的出射率和LED芯片的发光亮度、以及电流扩展层与P型层之间的欧姆接触，即使是在最佳的O₂含量的基础上，由于电流是由P型电极和N型电极注入LED，必定导致电流聚集在P型电极和N型电极附近，边缘部分没有得到充分利用，LED芯片的发光效率较低。

发明内容

为了解决现有技术边缘部分没有得到充分利用、LED芯片的发光效率较低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底的第一表面上依次生长N型层、发光层、P型层，形成外延层；

在所述P型层上形成从所述P型层上延伸到所述N型层的凹槽；

在所述P型层上形成电流阻挡层；

在所述电流阻挡层和所述P型层上形成透明导电薄膜；

在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域边缘形成绝缘层，所述绝缘层包括多个间隔排列的绝缘单元，所述绝缘单元的面积沿从中心向四周的方向逐渐减小；

在所述绝缘层的遮挡下对所述透明导电薄膜进行高温退火；

在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域形成P型电极，在所述N型层上形成N型电极；

对所述衬底进行减薄；

在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；

对所述DBR、所述衬底、以及所述外延层进行切割和分裂，得到相互独立的发光二极管芯片。

可选地，所述绝缘单元的横截面为圆形或环形。

可选地，所述绝缘层的厚度为5纳米～5微米。

可选地，所述绝缘层为SiO₂层或SiN层。

可选地，所述制作方法还包括：

在所述透明导电薄膜上所述电流阻挡层对应的区域形成所述绝缘层。