[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，通过在TFT中设置第一、第二轻掺杂补偿区，可降低TFT的关态电流；同时采用第一栅极与第二栅极组成双栅极结构，减小第一、第二轻掺杂补偿区对TFT开态电流的影响，所述第一栅极与第二栅极相连，由同一个栅极电压控制，不需要额外的电压信号；制程简单，生产成本低，制得的TFT基板具有较好的电学性能。本发明制得的TFT基板，采用轻掺杂补偿结构来降低TFT的关态电流，采用双栅极结构来降低轻掺杂补偿结构对TFT开态电流的影响，结构简单，且电学性能优异。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及制得的TFT基板。

背景技术

OLED是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，特别是自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，再加上其生产设备投资远小于TFT-LCD，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

目前，AMOLED正在逐步走向成熟，在AMOLED中，需要以电流作为驱动，低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)具有较大的迁移率，以其为有源层制作的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)可以满足AMOLED的电流驱动模式。低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)具有较高的迁移率，可以得到比较高的开态电流，但是由于LTPS中晶粒存在造成的缺陷，会导致LTPS TFT在关态时会出现较高的关态电流。为了减小LTPS TFT的关态电流，可以采用轻掺杂补偿(Lightly Doped Offset)结构。轻掺杂补偿结构目前已被研究的较多，但是轻掺杂补偿结构形成高阻区会降低LTPS TFT的开态电流，为了获得较高的开态电流，可以对轻掺杂补偿结构进行改进。

在具有轻掺杂补偿结构的LTPS TFT中，轻掺杂补偿区不存在载流子积累，具有较高的电阻，当TFT处于关态时，可以有效的降低关态电流，但在TFT开态时，轻掺杂补偿区的存在同样会降低开态电流，影响LTPS TFT的开关特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，通过在TFT中设置第一、第二轻掺杂补偿区，降低TFT的关态电流，同时采用第一栅极与第二栅极组成双栅极结构，减小第一、第二轻掺杂补偿区对TFT开态电流的影响，制程简单，生产成本低，制得的TFT基板具有较好的电学性能。

本发明的目的还在于提供一种TFT基板，采用轻掺杂补偿结构来降低TFT的关态电流，采用双栅极结构来降低轻掺杂补偿结构对TFT开态电流的影响，结构简单，且电学性能优异。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上形成有源层，对所述有源层进行离子注入，并在所述有源层上定义出沟道区；

步骤2、在所述有源层、及基板上沉积绝缘层与第一金属层，采用一道光罩对所述第一金属层和绝缘层进行图形化处理，得到与所述有源层的沟道区的宽度相等并且在宽度方向上两端对齐的第一栅极与栅极绝缘层；

以所述第一栅极和栅极绝缘层为阻挡层，对所述有源层进行离子注入，得到分别位于沟道区两侧的第一离子重掺杂区与第二离子重掺杂区；