[发明专利]TFT基板的制作方法及制得的TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成有源层(20)，对所述有源层(20)进行离子注入，并在所述有源层(20)上定义出沟道区(21)；

步骤2、在所述有源层(20)、及基板(10)上依次沉积绝缘层(32)与第一金属层(31)，采用一道光罩对所述第一金属层(31)和绝缘层(32)进行图形化处理，得到与所述有源层(20)的沟道区(21)的宽度相等并且在宽度方向上两端对齐的第一栅极(40)与栅极绝缘层(30)；

以所述第一栅极(40)和栅极绝缘层(30)为阻挡层，对所述有源层(20)进行离子注入，得到分别位于沟道区(21)两侧的第一离子重掺杂区(22)与第二离子重掺杂区(23)；

步骤3、在所述第一栅极(40)、有源层(20)、及基板(10)上沉积第二金属层(41)，采用一道光罩对所述第一金属层(41)进行图形化处理，得到位于所述有源层(20)的两侧且分别与所述有源层(20)的第一离子重掺杂区(22)与第二离子重掺杂区(23)相接触的源极(51)与漏极(52)；

将所述第一离子重掺杂区(22)上与源极(51)相接触的部分定义为源极接触区(24)；将所述第二离子重掺杂区(23)上与漏极(52)相接触的部分定义为漏极接触区(25)；

以所述源极(51)、漏极(52)、及第一栅极(40)为阻挡层，对所述第一离子重掺杂区(22)上位于所述源极(51)与第一栅极(40)之间的部分、以及所述第二离子重掺杂区(23)上位于第一栅极(40)与漏极(52)之间的部分进行蚀刻，去除上层离子浓度较高的部分，保留下层离子浓度较低的部分，从而得到位于所述源极接触区(24)与沟道区(21)之间的第一轻掺杂补偿区(26)、以及位于所述沟道区(21)与漏极接触区(25)之间的第二轻掺杂补偿区(27)；

步骤4、在所述源极(51)、漏极(52)、有源层(20)、及第一栅极(40)上沉积钝化保护层(60)，采用一道光罩对所述钝化保护层(60)进行图形化处理，对应于所述源极(51)、漏极(52)、及第一栅极(40)的上方分别形成第一通孔(61)、第二通孔(62)、及第三通孔(63)；

步骤5、在所述钝化保护层(60)上沉积导电层(90)，采用一道光罩对所述导电层(90)进行图形化处理，得到第一接触电极(71)、第二接触电极(72)、及第二栅极(80)，所述第一、第二接触电极(71、72)分别经由第一、第二通孔(61、62)与源极(51)、漏极(52)相连，所述第二栅极(80)经由第三通孔(63)与第一栅极(40)相连；

所述第二栅极(80)的宽度大于所述第一栅极(40)的宽度，且所述第二栅极(80)的两侧分别覆盖位于所述第一栅极(40)两侧的第一轻掺杂补偿区(26)与第二轻掺杂补偿区(27)。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，在所述基板(10)上形成有源层(20)的具体实施方式为：在基板(10)上沉积非晶硅薄膜，采用固相结晶方法将所述非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜后，采用一道光罩对所述低温多晶硅薄膜进行图形化处理，得到有源层(20)。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述沟道区(21)为N型离子轻掺杂区，所述源极接触区(24)、漏极接触区(25)为P型离子重掺杂区，所述第一轻掺杂补偿区(26)、第二轻掺杂补偿区(27)为P型离子轻掺杂区；或者，所述沟道区(21)为P型离子轻掺杂区，所述源极接触区(24)、漏极接触区(25)为N型离子重掺杂区，所述第一轻掺杂补偿区(26)、第二轻掺杂补偿区(27)为N型离子轻掺杂区。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二栅极(80)的左侧与源极(51)的右侧之间形成第一重叠区(810)，所述第二栅极(80)的右侧与漏极(52)的左侧之间形成第二重叠区(820)。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一、第二接触电极(71、72)、及第二栅极(80)的材料均为透明导电金属氧化物。