[发明专利]一种刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种刻蚀方法，属于显示器件加工技术领域。

背景技术

液晶显示装置因具有功耗低、无辐射等优点，现已占据了平面显 示领域的主导地位。现有的液晶显示装置中液晶面板通常包括相对设 置的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液 晶层，其中，阵列基板上设有多个薄膜晶体管以及多个像素电极，像 素电极与薄膜晶体管的漏极连接，在彩膜基板上设有与像素电极对应 的公共电极。当通过薄膜晶体管为像素电极充电时，像素电极和公共 电极之间形成电场，从而可控制像素电极对应的液晶区域内的液晶分 子偏转，进而实现液晶显示功能。

随着平板显示技术的发展，对显示产品PPI(PixelsPerInch，像 素密度)的要求越来越高，这就需要不断减小工艺过程中的关键尺寸 (CriticalDimension，简称CD)。然而，现有的设计已经基本达到了 曝光机的分辨率极限。液晶面板的实际加工工艺过程中，在形成有机 绝缘膜孔和PVX孔时，常常因为孔的尺寸过小，接近曝光机的分辨 率极限不能进一步减小孔的大小，而产生光刻胶(PR)残留remain， 导致孔不能形成。因此，迫切需要一种能提高产品的PPI、提高产品 的竞争力的光刻工艺方法实现更小关键尺寸结构的光刻。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：如何在现有设备基础上进一步提高 曝光精度。

为实现上述的发明目的，本发明提供了一种刻蚀方法，包括：

在需要图案化的膜层上涂覆光刻胶层；

在光刻胶层上形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域；

在光刻胶去除区域形成交联材料，在预定条件下使交联材料与光 刻胶保留区域发生反应，形成反应区域；

去除交联材料，保留光刻胶保留区域和反应区域，对所述去除交 联材料区域的膜层进行刻蚀；

去除光刻胶保留区域和反应区域的遮挡层，形成图案化膜层。

可选地，所述在光刻胶层上形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区 域，包括:

在涂覆光刻胶的膜层上执行曝光显影，形成光刻胶去除区域和光 刻胶保留区域。

可选地，所述预定条件是在温度100℃至300℃下反应。

可选地，所述反应区域的宽度是通过预定反应时间确定的。

可选地，所述预定条件是反应时间为10s至200s。

可选地，所述交联材料与光刻胶发生酯化反应。

可选地，所述光刻胶为包含羧基的有机材料。

可选地，所述光刻胶包括酚醛树脂。

可选地，所述交联材料为包含羟基的有机材料。

可选地，所述交联材料为包含羟基的高分子材料。

可选地，所述交联材料为高分子多元醇。

可选地，所述交联材料的通式为C_nH_2n+2-X(OH)_X。

通过本发明提供的刻蚀方法，能够在现有设备的基础上提高曝光 精度，形成关键尺寸更小的结构。本发明通过控制交联材料和光刻胶 反应的条件，可以调整反应区域的宽度d，并可以调整至小于曝光机 分辨率极限的关键尺寸，而不会发生残留remain。

附图说明

图1是本发明刻蚀方法流程示意图；

图2是本发明形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域示意图；

图3是本发明在光刻胶去除区域形成交联材料示意图；

图4是本发明在光刻胶去除区域形成反应区域示意图；

图5是本发明去除交联材料示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细 描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。