[发明专利]一种刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610162056.6 | 申请日： | 2016-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN105655249A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张俊;王一军;许徐飞;宋洁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
在需要图案化的膜层上涂覆光刻胶层；
在光刻胶层上形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域；
在光刻胶去除区域形成交联材料，在预定条件下使交联材料与光 刻胶保留区域发生反应，形成反应区域；
去除交联材料，保留光刻胶保留区域和反应区域，对所述去除交 联材料区域的膜层进行刻蚀；
去除光刻胶保留区域和反应区域的遮挡层，形成图案化膜层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述在光刻 胶层上形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，包括:
在涂覆光刻胶的膜层上执行曝光显影，形成光刻胶去除区域和光 刻胶保留区域。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述预定条 件是在温度100℃至300℃下反应。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述反应区 域的宽度是通过预定反应时间确定的。
5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述预定条 件是反应时间为10s至200s。
6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述交联材 料与光刻胶发生酯化反应。
7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述光刻胶 为包含羧基的有机材料。
8.根据权利要求1或7所述的刻蚀方法，其特征在于，所述光 刻胶包括酚醛树脂。
9.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述交联材 料为包含羟基的有机材料。
10.根据权利要求9所述的刻蚀方法，其特征在于，所述交联材 料为包含羟基的高分子材料。
11.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述交联材 料为高分子多元醇。
12.根据权利要求1、9-11任一项所述的刻蚀方法，其特征在于， 所述交联材料的通式为CnH2n+2-X(OH)X。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610162056.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种GaN HEMT器件制作方法
- 下一篇：脱气方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
