[发明专利]一种光电材料及其制备方法与在有机电子器件中的应用

权利要求书

1.一种光电材料，其特征在于，其分子通式如式(1)：

式(1)，

其中，R₁为S；R₂和R₃中至少一个与R₁结合，R₂和R₃为O；M1为包含Ar₂，Ar₃，R₁，R₂，R₃的基团；n是大于零的整数；

Ar₂、Ar₃为取代或无取代的芳香环基；所述M1选自以下结构式中的一种：

Ar₁为取代或无取代的芳香环基，取代基为卤素，烷基，烷氧基，芳基或杂芳基。

2.如权利要求1所述的光电材料，其特征在于，所述Ar₁选自以下结构式中的一种：

其中，R₄～R₈为氢，卤素，烷基，烷氧基，芳基或杂芳基；

其中，R₉～R₁₇为氢，卤素，烷基，烷氧基，芳基或杂芳基；

其中，R₁₈～R₂₅为氢，卤素，烷基，烷氧基，芳基或杂芳基；

其中，R₂₆～R₃₂为氢，卤素，烷基，烷氧基，芳基，杂芳基；

其中，R₃₃～R₃₅为氢，卤素，烷基，烷氧基，芳基或杂芳基；

其中，R₃₆～R₃₉为氢，卤素，烷基，烷氧基，芳基或杂芳基；

其中，R₄₀～R₄₈为氢，卤素，烷基，烷氧基，芳基或杂芳基。

3.权利要求1或2所述光电材料的合成方法，其特征在于包括以下步骤：

1)制备M1的卤代物：以M1单体为原料，加入N‐溴代琥珀酰亚胺或者液溴，在浓硫酸或者过氧化氢的有机溶剂中，常温或者加热以及搅拌条件下反应，提纯，得到M1的卤代物；所述N‐溴代琥珀酰亚胺或者液溴的加入量为M1单体摩尔量2倍以上；

2)C‐N偶联反应制备仲胺：容器中先加入Pd₂(dba)₃和DPPF，在苯系溶剂中搅拌后，再加入M1的卤代物，Ar₁的伯胺和叔丁醇钠，加热回流，得到M1，Ar₁的仲胺；所述Ar₁的伯胺的加入量为M1的卤代物摩尔量2倍以上；所述叔丁醇钠的加入量为M1的卤代物摩尔量5倍以上；

3)制备光电材料：容器中先加入Pd₂(dba)₃和P(t‐Bu)₃，在苯系溶剂中搅拌后，再加入M1的卤代物，1倍M1的卤代物摩尔量的步骤2)中制备的仲胺，以及2倍M1的卤代物摩尔量以上的叔丁醇钠，加热回流，得到所述的聚合物光电材料。

4.根据权利要求3所述的光电材料的合成方法，其特征在于，所述步骤2)中Ar₁的伯胺采用市售产品；或者所述步骤2)中Ar₁的伯胺是以Ar₁的硝基化合物为原料，加入4倍Ar₁的伯胺摩尔量以上的水合肼，在乙醇有机溶剂中，加热回流得。

5.根据权利要求3所述的光电材料的合成方法，其特征在于，步骤2)所述Pd₂(dba)₃的加入量为M1的卤代物单体摩尔量4％以上；所述DPPF的加入量为M1的卤代物单体摩尔量12％以上。

6.根据权利要求3所述的光电材料的合成方法，其特征在于，步骤3)所述Pd₂(dba)₃的加入量为M1的卤代物单体摩尔量2％以上；所述P(t‐Bu)₃的加入量为M1的卤代物单体摩尔量6％以上。