[发明专利]一种掩膜板及其制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种掩膜板及其制作方法。所述掩膜板包括图形区域和位于图形区域外围、与图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧边所在直线的外侧。且在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为厘米级，从而在制作图形区域的图形时，能够快速实现掩膜板和遮挡板的对位，减少每次曝光的对位时间，降低Take Time，提高产能。并达到零对位偏差的效果，避免因对位不好造成的返工风险，降低成本，提高产品品质。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种掩膜板及其制作方法。

背景技术

在半导体器件的制作过程中，掩膜板是必不可少的，它主要由基底和不透光材料两部分组成，基底通常是高纯度、低反射率、低热膨胀系数的石英玻璃，不透光材料通常是在石英玻璃上淀积的一层铬，掩膜图形就是由铬膜形成的，在铬膜的下方还有一层由铬的氮化物或氧化物形成的薄膜，其作用是增加铬膜与石英玻璃之间的黏附力，在铬膜的上方有一层20nm厚的三氧化二铬抗反射层，这些薄膜是通过溅射方法制备的，进一步减小不透光图形的透光率。

现有技术中掩膜板的制作过程为：依次在一张玻璃基底制作多个掩膜板的图形。在所述玻璃基底上制作其中一个掩膜板的图形时，需要用遮挡板遮住其他掩膜板所在的区域。为了保证遮挡板遮挡有效区域，在掩膜板的周边区域还形成有遮挡标记，在形成一个掩膜板上的图形前，首先将遮挡板与其周边区域的遮挡标记进行对位。

由上可见，掩膜板的制作过程中，遮挡板与遮挡标记的对位会占用一定的生产时间，同时，由于遮挡标记的尺寸精度为微米级，对位精度很高，还会出现对位偏差，导致遮挡位置不符合要求的情况。

发明内容

本发明提供一种掩膜板及其制作方法，用以解决掩膜板的制作过程中，遮挡非曝光区域的对位精度较高，导致对位时间长、易出现对位偏差的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种掩膜板，包括基底，所述基底包括至少一个掩膜区域，每一所述掩膜区域包括图形区域，每一所述掩膜区域还包括位于所述图形区域外围、与图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧边所在直线的外侧；

在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为厘米级。

本发明实施例中的掩膜板，所述图形区域的所有侧边对应的对位图形围成环状图形，所述环状图形环设在所述图形区域的外围。

本发明实施例中的掩膜板，所述掩膜板还包括微米级的遮挡标记，所述遮挡标记的中心位于所述环状图形靠近所述图形区域的内侧边上。

本发明实施例中的掩膜板，所述图形区域的相邻两侧边共用一个所述对位图形。

本发明实施例中的掩膜板，所述图形区域的侧边与对位图形一一对应。

本发明实施例中的掩膜板，所述对位图形包括镂空部，所述镂空部形成所述掩膜板的对位标记，用于所述掩膜板与半导体器件的对位。

本发明实施例中的掩膜板，所述镂空部的形状为矩形、十字型或圆形。

本发明实施例中的掩膜板，所述图形区域的侧边所在的直线与对应的所述对位图形之间间隔预设的距离。

本发明实施例中还提供一种如上所述的掩膜板的制作方法，所述掩膜板包括基底，所述基底包括至少一个掩膜区域，每一所述掩膜区域包括图形区域，所述制作方法包括：

在每一图形区域的外围形成与所述图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧边所在直线的外侧，且在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为厘米级。

本发明实施例中的制作方法，所述图形区域的所有侧边对应的对位图形围成环状图形，所述环状图形环设在所述图形区域的外围；