[发明专利]一种掩膜板及其制作方法有效
| 申请号： | 201610153442.9 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105759564B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 周如;黄胜;董必良 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜板 及其 制作方法 | ||
1.一种掩膜板，包括基底，所述基底包括至少一个掩膜区域，每一所述掩膜区域包括图形区域，其特征在于，每一所述掩膜区域还包括位于所述图形区域外围、与图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧边所在直线的外侧；
在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为厘米级；
所述图形区域的所有侧边对应的对位图形围成环状图形，所述环状图形环设在所述图形区域的外围；
所述掩膜板还包括微米级的遮挡标记，所述遮挡标记的中心位于所述环状图形靠近所述图形区域的内侧边上。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述图形区域的相邻两侧边共用一个所述对位图形。
3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述图形区域的侧边与对位图形一一对应。
4.根据权利要求1-3任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述对位图形包括镂空部，所述镂空部形成所述掩膜板的对位标记，用于所述掩膜板与半导体器件的对位。
5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述镂空部的形状为矩形、十字型或圆形。
6.根据权利要求1-3任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述图形区域的侧边所在的直线与对应的所述对位图形之间间隔预设的距离。
7.一种权利要求1-6任一项所述的掩膜板的制作方法，所述掩膜板包括基底，所述基底包括至少一个掩膜区域，每一所述掩膜区域包括图形区域，其特征在于，所述制作方法包括：
在每一图形区域的外围形成与图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧边所在直线的外侧，且在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为厘米级。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述图形区域的所有侧边对应的对位图形围成环状图形，所述环状图形环设在所述图形区域的外围；
所述制作方法还包括：
形成微米级的遮挡标记，所述遮挡标记的中心位于所述环状图形靠近所述图形区域的内侧边上。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述对位图形中形成镂空部，所述镂空部形成所述掩膜板的对位标记，用于所述掩膜板与半导体器件的对位。
10.根据权利要求7-9任一项所述的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺形成所有掩膜区域的对位图形。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述对位图形包括依次形成在所述基底上的铬的氮化物或氧化物膜层、铬金属膜层和三氧化二铬膜层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
