[发明专利]功率器件有效
| 申请号: | 201610152631.4 | 申请日: | 2016-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN107204315B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
| 发明(设计)人: | 刘正东;宋贺伦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
| 地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率 器件 | ||
本发明提供了一种高频功率器件,其包括:相对设置的控制极焊盘和输出极焊盘;与所述控制极焊盘连接的控制极馈电端以及与所述输出极焊盘连接的输出极馈电端;其中,所述控制极馈电端与所述输出极馈电端相对设置;与所述控制极馈电端连接的控制极叉指以及与所述输出极馈电端连接的输出极叉指;其中,所述控制极叉指与所述输出极叉指交叉设置且彼此绝缘;设置于所述控制极馈电端和/或控制极叉指上的补偿元件。本发明通过调节各补偿元件,弥补高频信号在各叉指间的相位差别,从而避免各叉指工作不均匀,能大大提高器件的稳定性及放大特性。
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体地讲,涉及一种功率器件。
背景技术
高频功率器件具有将高频信号(如射频、微波等信号)进行放大的作用,广泛应用于移动通信、广播电视、探测及雷达等领域。典型的功率器件根据材料和结构的不同主要有硅基的MOSFET和LDMOS、砷化镓基的MESFET、HBT和HEMT以及氮化镓基的HEMT等器件。由于要输出大功率,因此各类器件在布局上均采用多叉指并联的架构。但是对于高频信号,当信号频率提高时信号波长降低,对于叉指数较多的大功率器件,器件物理尺寸将增加至与信号波长可比拟的程度,使得信号在各叉指间传播时存在相位差及工作不均匀的情况,从而对器件工作的稳定性和合成功率输出的效果造成影响。因此,如何降低叉指间的相位失衡、使各叉指均匀工作是提高器件功率性能和可靠性的关键。
发明内容
为了解决上述现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种功率器件,能够弥补器件各叉指间的相位失衡,提高功率器件的可靠性和输出性能。
本发明提供的一种功率器件,其包括:相对设置的控制极焊盘和输出极焊盘;与所述控制极焊盘连接的控制极馈电端以及与所述输出极焊盘连接的输出极馈电端;其中,所述控制极馈电端与所述输出极馈电端相对设置;与所述控制极馈电端连接的控制极叉指以及与所述输出极馈电端连接的输出极叉指;其中,所述控制极叉指与所述输出极叉指交叉设置且彼此绝缘;设置于所述控制极馈电端和/或控制极叉指上的补偿元件。
进一步地,所述控制极馈电端的数量为多个。
进一步地,所述输出极馈电端的数量为多个;其中,每个控制极馈电端连接两个所述控制极叉指,每个输出极馈电端连接一个所述输出极叉指,每个输出极叉指对应插置于两个所述控制极叉指中。
进一步地,在每个控制极馈电端上设置一个补偿元件,其中,在控制极馈电端上设置的所有补偿元件均为相同的补偿元件或者至少包括两个不相同的补偿元件。
进一步地,所述功率器件还包括:在每相邻的两个控制极馈电端之间设置的补偿元件;其中,设置于每相邻的两个控制极馈电端之间的所有补偿元件均为相同的补偿元件或者至少包括两个不相同的补偿元件。
进一步地,设置于每相邻的两个控制极馈电端之间的补偿元件与设置于控制极馈电端上的补偿元件相同或者不相同。
进一步地,在每个控制极叉指上设置一个补偿元件;其中,在控制极叉指上设置的所有补偿元件均为相同的补偿元件或者至少包括两个不相同的补偿元件。
进一步地,所述补偿元件为电阻、电感和电容中的一种或者至少两种的串联或并联。
进一步地,所述控制极馈电端呈倒T型结构,所述控制极馈电端包括竖直延伸的第一端部和水平延伸的第二端部;其中,所述第一端部与所述控制极焊盘连接,所述第二端部与两个所述控制极叉指连接。
进一步地,所述控制极馈电端与所述控制极焊盘一体成型,所述输出极馈电端与所述输出极焊盘一体成型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610152631.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多层压入式货架
- 下一篇:一种重力式货架卡板分离器





