[发明专利]一种双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒装置及方法在审
申请号: | 201610150593.9 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN105632980A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 孟利萍;张锐 | 申请(专利权)人: | 上海艾力克新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201400 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双制绒槽位 多晶 硅片 装置 方法 | ||
1.一种双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒装置,其特征在于, 包括依次设置的1#制绒槽、2#制绒槽、3#水槽、4#水槽、5#碱槽、6#水槽、 7#酸槽、8#水槽和9#喷淋槽,以及1#机械臂和2#机械臂,所述1#机械臂 运行于1#制绒槽、2#制绒槽、3#水槽、4#水槽、5#碱槽、6#水槽上方,所 述2#机械臂运行于6#水槽、7#酸槽、8#水槽和9#喷淋槽上方。
2.根据权利要求1所述的双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒装 置,其特征在于,所述1#制绒槽和2#制绒槽的结构、大小和体积均 相同。
3.根据权利要求1所述的双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒装 置,其特征在于,所述6#水槽为1#机械臂和2#机械臂的共用槽位。
4.一种双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒方法,其特征在于,采 用权利要求1、2或3所述的装置,包括以下步骤:
(1)1#机械臂抓取硅片从上料位拉入1#制绒槽进行制绒,1#制绒槽 制绒的过程中,1#机械臂从上料位将下一批硅片从上料位拉入2#制绒槽进 行制绒;2#制绒槽制绒过程中,1#机械臂将1#制绒槽内制绒完毕的硅片依 次拉入3#水槽进行清洗,5#碱槽进行碱洗,6#水槽进行清洗;1#机械臂将 硅片拉入6#水槽后返回上料位将硅片拉入1#制绒槽,然后将2#制绒槽内制 绒完毕的硅片依次拉入4#水槽进行清洗,5#碱槽进行碱洗,6#水槽进行清 洗;1#机械臂将硅片拉入6#水槽后返回上料位将硅片拉入2#制绒槽,此后 循环往复进行上述步骤;
(2)2#机械臂将在6#水槽内清洗完成的硅片依次拉入7#酸槽、8#水 槽和9#喷淋槽。
5.根据权利要求4所述的双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒方 法,其特征在于,步骤(1)中硅片在制绒槽内制绒完成时1#机械臂 刚好完成另一制绒槽内硅片放置并返回至制绒完成的硅片的抓取位置。
6.根据权利要求4所述的双制绒槽位的槽式多晶硅片制绒方 法,其特征在于:制绒溶液为氢氟酸、水、硝酸混合物,氢氟酸比例在 4wt%-7wt%之间,硝酸比例为30wt%-50wt%之间,反应时间为300-400秒, 反应温度为10℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造