[发明专利]一种功率模块连接质量的检测方法有效
申请号: | 201610136577.4 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN105679691B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 胡少华 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 314006 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 连接 质量 检测 方法 | ||
一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成,所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层,第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板;所述的检测方法包括:a)把功率模块放置于高精度平台上,关互锁安全门;b)选择检测条件如电压,电流,光管开始工作,光管发射的X光穿过功率模块;c)探测器固定在C型臂上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器可检测到偏转相同角度的X光信号,从而接收到完整的X光信息;d)根据X光信号层析成像,形成若干层的X光图像;e)再利用专门开发的软件,分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。
技术领域
本发明涉及的是一种功率模块连接质量的检测方法,尤其是一种新型的使用X光层析成像技术进行功率模块连接质量的检测方法,属于半导体功率模块的封装技术领域。
背景技术
功率模块是在功率电子电路上使用的半导体封装体,比如,封装了绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片,或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片的模块。一些模块也封装有半导体二极管(DIODE)芯片以提供过压保护。以上功率半导体芯片具有一系列电压和电流等级,以适应不同的场合或行业应用。
功率模块一般还包括导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底(DBC),基板,功率端子等部件,目前这些部件大部分是通过钎焊(Soldering)、烧结(Sintering)或焊接(Welding)连接的,如芯片-DBC、DBC-基板之间的连接。
特殊应用场合如汽车行业中使用的功率模块,要求散热效率高。所以,经常使用带散热柱的基板封装成模块以便利用液体散热系统。对于功率模块,常规检测连接质量(如气孔情况)的方法有X光透射成像技术或超声波扫描成像技术。
但对于带散热柱的功率模块,这两种方法不能有效成像,无法检测连接质量。X光透射成像技术使用接收透射的信号成像,要求X光能穿透待分析的物体。带散热柱的模块,其基板和散热柱的总厚大(约12mm厚的铜),普通光管的电压一般≤130kV,无法完全穿透并成像。即使穿透,也无法明确气孔的在厚度方向的哪一层,即无法确定具体位置。
另一种方法,超声波扫描成像技术,其原理是在一个较小尺寸的范围内,超声波会由于材料的物理特性发生相互作用。一旦材料特性发生变化,样品内部的超声波就会被阻挡、吸收、散射或反射。所以也常用于检测功率模块的连接质量(如气孔、异物等情况),但对于带散热柱的模块,基板表面与散热柱表面不在一个平面上,较长的散热柱(约8mm)不利于超声波聚焦,不能有效成像。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足,而提供一种有利于监控产品质量,确保产品的可靠性,减少由此造成客户端失效,减少事故或损失的使用X光层析成像技术进行功率模块连接质量的检测方法。
本发明的目的是通过如下技术方案来完成的,一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成,其中,所述覆铜陶瓷基板由上层铜、中间层陶瓷、下层铜通过烧结等工艺做成一个整体,所述基板是由平板和散热柱通过锻造、铸造或机械加工方法做成一个整体;所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层,第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板;所述的检测方法是采用X光层析成像系统检测第一连接层2和第二连接层或其中之一的连接质量,具体包括:
a)把功率模块放置于高精度平台上,固定不动,关互锁安全门;
b)选择或设置检测条件如电压,电流,光管开始工作,光管发射的X光穿过功率模块;
c)探测器固定在C型臂上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器可检测到偏转相同角度的X光信号,在检测的整个过程中,C型臂缓慢旋转360°,所以,探测器跟着旋转360°,从而接收到完整的X光信息;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造