[发明专利]一种功率模块连接质量的检测方法有效

专利信息
申请号: 201610136577.4 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN105679691B 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 胡少华 申请(专利权)人: 嘉兴斯达半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 翁霁明
地址: 314006 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 模块 连接 质量 检测 方法
【说明书】:

一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成,所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层,第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板;所述的检测方法包括:a)把功率模块放置于高精度平台上,关互锁安全门;b)选择检测条件如电压,电流,光管开始工作,光管发射的X光穿过功率模块;c)探测器固定在C型臂上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器可检测到偏转相同角度的X光信号,从而接收到完整的X光信息;d)根据X光信号层析成像,形成若干层的X光图像;e)再利用专门开发的软件,分析一个芯片或DBC的整体气孔率或最大单个气孔率。

技术领域

发明涉及的是一种功率模块连接质量的检测方法,尤其是一种新型的使用X光层析成像技术进行功率模块连接质量的检测方法,属于半导体功率模块的封装技术领域。

背景技术

功率模块是在功率电子电路上使用的半导体封装体,比如,封装了绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片,或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片的模块。一些模块也封装有半导体二极管(DIODE)芯片以提供过压保护。以上功率半导体芯片具有一系列电压和电流等级,以适应不同的场合或行业应用。

功率模块一般还包括导热绝缘直接键合铜陶瓷衬底(DBC),基板,功率端子等部件,目前这些部件大部分是通过钎焊(Soldering)、烧结(Sintering)或焊接(Welding)连接的,如芯片-DBC、DBC-基板之间的连接。

特殊应用场合如汽车行业中使用的功率模块,要求散热效率高。所以,经常使用带散热柱的基板封装成模块以便利用液体散热系统。对于功率模块,常规检测连接质量(如气孔情况)的方法有X光透射成像技术或超声波扫描成像技术。

但对于带散热柱的功率模块,这两种方法不能有效成像,无法检测连接质量。X光透射成像技术使用接收透射的信号成像,要求X光能穿透待分析的物体。带散热柱的模块,其基板和散热柱的总厚大(约12mm厚的铜),普通光管的电压一般≤130kV,无法完全穿透并成像。即使穿透,也无法明确气孔的在厚度方向的哪一层,即无法确定具体位置。

另一种方法,超声波扫描成像技术,其原理是在一个较小尺寸的范围内,超声波会由于材料的物理特性发生相互作用。一旦材料特性发生变化,样品内部的超声波就会被阻挡、吸收、散射或反射。所以也常用于检测功率模块的连接质量(如气孔、异物等情况),但对于带散热柱的模块,基板表面与散热柱表面不在一个平面上,较长的散热柱(约8mm)不利于超声波聚焦,不能有效成像。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足,而提供一种有利于监控产品质量,确保产品的可靠性,减少由此造成客户端失效,减少事故或损失的使用X光层析成像技术进行功率模块连接质量的检测方法。

本发明的目的是通过如下技术方案来完成的,一种功率模块连接质量的检测方法,所述的功率模块主要是由半导体芯片、第一连接层、覆铜陶瓷基板、第二连接层、基板组装而成,其中,所述覆铜陶瓷基板由上层铜、中间层陶瓷、下层铜通过烧结等工艺做成一个整体,所述基板是由平板和散热柱通过锻造、铸造或机械加工方法做成一个整体;所述第一连接层连接半导体芯片与覆铜陶瓷基板的上铜层,第二连接层连接覆铜陶瓷基板的下铜层与基板;所述的检测方法是采用X光层析成像系统检测第一连接层2和第二连接层或其中之一的连接质量,具体包括:

a)把功率模块放置于高精度平台上,固定不动,关互锁安全门;

b)选择或设置检测条件如电压,电流,光管开始工作,光管发射的X光穿过功率模块;

c)探测器固定在C型臂上,选定与法线方向有一定夹角的位置;探测器可检测到偏转相同角度的X光信号,在检测的整个过程中,C型臂缓慢旋转360°,所以,探测器跟着旋转360°,从而接收到完整的X光信息;

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