[发明专利]访问动态随机存储器DRAM的方法和总线

权利要求书

1.一种访问动态随机存储器DRAM的方法，其特征在于，所述方法包括：

接收访问指令，所述访问指令包括访问地址，所述访问地址包括物理地址和增添设置的第一字段和第二字段，其中，所述第一字段用于指示交织模式，所述交织模式表示访问通道的选择方式，所述第二字段用于指示交织粒度，所述交织粒度表示所述访问通道下的地址空间的容量；

根据所述第一字段和所述第二字段，确定所述访问通道和所述访问通道下的地址；

根据所述访问通道和所述访问通道下的地址，访问所述DRAM。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一字段和所述第二字段确定所述访问通道和所述访问通道下的地址包括：

当所述第一字段的值指示所述交织模式为3+1访问通道交织模式时，确定所述物理地址中的第三字段，所述第三字段用于指示在3个访问通道间交织访问所述DRAM，或通过单访问通道访问所述DRAM；

当所述第三字段的值指示在3个访问通道间交织访问所述DRAM时，确定所述物理地址中的第四字段，所述第四字段用于指示在所述3个访问通道中选择一个访问通道；

根据所述第二字段的值，确定所述第四字段的值；

根据预先设定的所述第四字段的不同值与所述3个访问通道的映射关系，确定所述第四字段的值对应的第一访问通道；

根据所述第四字段的值，确定所述第一访问通道下的地址。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述第三字段的值指示通过单访问通道访问所述DRAM时，根据所述第三字段，确定所述单访问通道和所述单访问通道下的地址。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一字段和所述第二字段确定所述访问通道和所述访问通道下的地址包括：

当所述第一字段指示所述交织模式为双访问通道交织模式时，确定所述物理地址中的第五字段，所述第五字段用于指示在两组访问通道组合中选择一个访问通道组合访问所述DRAM；

当所述第五字段的值指示在第一访问通道组合中的两个访问通道间交织访问所述DRAM时，确定所述物理地址中的第六字段，所述第六字段用于指示在所述第一访问通道组合中选择一个访问通道访问所述DRAM；

根据所述第二字段的值，确定所述第六字段的值；

根据预先设定的所述第六字段的不同值与所述第一访问通道组合中的访问通道的对应关系，确定所述第六字段的值对应的第二访问通道；

根据所述第五字段和所述第六字段，确定所述第二访问通道下的地址。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一字段和所述第二字段确定所述访问通道和所述访问通道下的地址包括：

当所述第一字段的值指示所述交织模式为4访问通道交织模式时，确定所述物理地址中的第七字段，所述第七字段用于指示在4个访问通道中选择一个访问通道访问所述DRAM；

根据所述第二字段的值，确定所述第七字段的值；

根据预先设定的所述第七字段的不同值与所述4个访问通道的映射关系，确定所述第七字段的值对应的第三访问通道；

根据所述第七字段，确定所述第三访问通道下的地址。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一字段和所述第二字段确定所述访问通道和所述访问通道下的地址包括：

当所述第一字段指示所述交织模式为单访问通道模式时，确定所述物理地址中的第八字段，所述第八字段用于指示选择单通道访问所述DRAM；

根据所述第八字段，确定选中的单访问通道和所述选中的单访问通道下的地址。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一字段包括至少两个比特位，所述第二字段包括至少三个比特位。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述交织粒度包括128字节、256字节、512字节、1024字节、2048字节和4096字节中的任意一种。

9.一种用于访问动态随机存储器DRAM的总线，其特征在于，所述总线包括用于执行权利要求1至权利要求8中任一项所述的访问动态随机存储DRAM的方法的模块。