[发明专利]发光器件及其制作方法

说明书

本发明提供了发光器件及其制作方法。该制作方法包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。上述方案能够在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁，而是在重力作用下回流到像素区域中，进而有效地防止相邻像素区域之间的混色，提高了发光器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及光学技术领域，具体而言，涉及一种发光器件及其制作方法。

背景技术

量子点发光器件(QLED，Quantum Dot light Emitting Device)是近些年显示领域的重要突破，它和OLED一样都是采用电致发光原理进行发光。各个QLED器件制作在每一由像素隔离层界定(Pixel define layer,PDL)的像素区域内，QLED的功能层组一般包括电子注入层，电子传输层，发光层，空穴传输层，空穴注入层，功能层组以及设置于其两侧的阳极和阴极组成发光结构，共同实现QLED的发光。阴极通常用银材料，阳极通常用ITO。

在发光器件中，由于界面间的全反射导致光损失，会导致出光效率降低。现有技术中通常在发光器件的电极之间或在电极外设置光提取层，来提高发光器件的出光效率。然而，在用狭缝涂布、旋转涂布、丝网印刷等工艺制备光提取层时，容易造成光提取层材料在像素隔离层的上表面和倾斜面的残留；在用打印工艺制备光提取层时，容易造成光提取层材料在像素隔离层的倾斜面的残留，从而使光从一个像素区域通过光提取层的散射粒子传播到相邻的另一个像素区域，进而导致相邻像素之间造成混色。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种发光器件及其制作方法，以解决现有发光器件的制作工艺中相邻像素区域之间容易混色的技术问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成像素隔离结构，像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液，形成光提取层，光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，光提取溶液为疏水性溶液，当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，光提取溶液为亲水性溶液。

进一步地，形成像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体，隔离基体的裸露表面构成像素隔离结构的裸露表面。

进一步地，形成像素隔离结构的步骤包括：形成隔离基体；形成设置于隔离基体上表面和侧表面的隔离膜，隔离膜的表面构成像素隔离结构的裸露表面。

进一步地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为聚酰亚胺和/或亲水性光刻胶；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。

进一步地，当裸露表面为亲水性表面时，形成裸露表面的材料为氧化硅和/或氮化硅；当裸露表面为疏水性表面时，形成裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺和/或疏水性树脂。

进一步地，形成隔离基体的步骤包括：在基板的表面上依次设置第一电极层和光刻胶；对光刻胶进行光刻工艺，以使第一电极层的部分表面露出以形成像素区域，剩余的光刻胶形成隔离基体，隔离基体的相邻侧壁的沿远离基板方向的延伸面相交，且相邻的侧壁之间的隔离基体为隔离条。

进一步地，在光刻工艺之后，形成隔离基体的步骤还包括：刻蚀掉部分隔离条，以使隔离条的远离基板的一侧表面为向远离基板的方向凸起的非平面，非平面由与第一电极层的上表面具有夹角的平面段和/或弧面段组成，且具有弧形拱顶。

进一步地，隔离条的远离第一电极层的一侧表面到第一电极层的垂直距离为1～4μm。