[发明专利]发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成像素隔离结构，所述像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域，且所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面；

在与所述像素区域对应的所述基板上设置光提取溶液，形成光提取层，所述光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂，且当所述像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时，所述光提取溶液为疏水性溶液，当所述像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时，所述光提取溶液为亲水性溶液，

形成所述像素隔离结构的步骤包括：

形成隔离基体，所述隔离基体的裸露表面构成所述像素隔离结构的裸露表面，或

形成所述像素隔离结构的步骤包括：

形成隔离基体；

形成设置于所述隔离基体上表面和侧表面的隔离膜，所述隔离膜的表面构成所述像素隔离结构的裸露表面。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

当所述裸露表面为亲水性表面时，形成所述裸露表面的材料为聚酰亚胺和/或亲水性光刻胶；

当所述裸露表面为疏水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺/或疏水性树脂。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

当所述裸露表面为亲水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氧化硅和/或氮化硅；当所述裸露表面为疏水性表面时，形成所述裸露表面的材料为氟化聚酰亚胺/或疏水性树脂。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔离基体的步骤包括：

在所述基板的表面上依次设置第一电极层和光刻胶；

对所述光刻胶进行光刻工艺，以使所述第一电极层的部分表面露出以形成所述像素区域，剩余的所述光刻胶形成所述隔离基体，所述隔离基体的相邻侧壁的沿远离所述基板方向的延伸面相交，且相邻的所述侧壁之间的隔离基体为隔离条。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述光刻工艺之后，形成所述隔离基体的步骤还包括：

刻蚀掉部分所述隔离条，以使所述隔离条的远离所述基板的一侧表面为向远离所述基板的方向凸起的非平面，所述非平面由与所述第一电极层的上表面具有夹角的平面段和/或弧面段组成，且具有弧形拱顶。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述隔离条的远离所述第一电极层的一侧表面到所述第一电极层的垂直距离为1～4μm。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述光提取溶液包括质量百分比为1～20％的基体材料、1～30％的散射粒子和50～98％的溶剂。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在形成所述像素隔离结构的步骤之前，所述制作方法还包括在所述基板的表面上设置第一电极层的步骤，此时形成所述光提取层的步骤包括：

在与所述像素区域对应的部分所述第一电极层上顺序层叠功能层组和第二电极层，与所述像素区域对应的部分所述第一电极层、所述功能层组和所述第二电极层构成发光结构，且所述第一电极层和所述第二电极层不同且分别选自阴极层和阳极层中的一种；

在所述第二电极层的远离所述功能层组的表面上设置所述光提取溶液，形成所述光提取层。