[发明专利]一种石英晶片加工工艺

说明书

本发明适用于电子元件加工工艺领域，提供了一种石英晶片加工工艺，包括以下步骤：覆膜：将石英晶片的中间区域涂覆上保护材料；加工：将石英晶片、研磨砂、钢珠和水置于滚筒内,启动滚筒转动，完成加工；脱膜：去除石英晶片上的保护材料。本发明不仅缩短了石英晶片加工周期、降低了生产成本，而且不影响石英晶片的性能。此外，本发明的加工工艺操作简单，便于工业化生产。

技术领域

本发明属于电子元件加工工艺领域，尤其涉及一种石英晶片加工工艺。

背景技术

目前，移动通讯、IT信息、电子产品等均对电子元器件包括晶体提出更小型化的要求，石英晶体的尺寸要求亦趋于小型化。作为石英晶体核心部件的石英晶片也力求最小化，以适应后续工序小型封装组立的要求。根据石英晶片压电特性的能陷理论，当晶片尺寸无限大时，性能最好，阻抗很小。但由于石英晶片的尺寸所限，无法做到无限大，而晶片尺寸越小，阻抗就越大。现在的电子产品越来越小，晶片也就会更小，而当晶片尺寸减小时，边缘效应更趋明显，导致晶片电阻增大。减薄晶片边缘即可降低边缘效应的影响，从而降低晶片阻抗。

现有技术中减薄石英晶片边缘的方法是将晶片放入曲率一定的金属滚筒内，并加以研磨砂，以一定的速率进行转动，依靠金属筒转动时石英晶片的离心力使其贴合滚筒壁转动，摩擦石英晶片，以达到晶片外形曲率与滚筒曲率相似，从而减小晶片的电阻，降低晶片阻抗。但是，现有技术中存在以下问题：石英晶片质量非常小，而滚筒转速又不能无穷大(因为由离心力产生的摩擦力必须小于晶片的重力，这样晶片与滚筒壁之间才能发生相对位移，进而起到减薄晶片边缘的效果)，因此产生的摩擦力就非常小，晶片加工周期很长，一般要200小时左右。加工周期长，就会导致所要加工的晶片之间的相互摩擦加大，将导致晶片的电气性能下降。此外，较长的加工周期也导致研磨砂消耗较多，换砂次数较多，且加工过程要求恒温恒湿，单位成本很高。

现有技术中石英晶体滚筒加工工艺中存在的材料消耗多、产品一致性一般、加工周期长、换砂次数较多、单位成本高等，是本领域内亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种石英晶片加工工艺，旨在克服石英晶片滚筒加工工艺过程中的存在的加工周期长、材料消耗长、单位成本高等问题。

本发明是这样实现的，一种石英晶片加工工艺，包括以下步骤：

覆膜：将石英晶片的中间区域覆盖上保护材料；

加工：将所述石英晶片、研磨砂、钢珠和水置于滚筒内,启动滚筒转动，加工；以及

脱膜：去除石英晶片上的保护材料。

进一步地，所述中间区域为所述石英晶片的非加工区域，所述中间区域为所述石英晶片的非加工区域，所述中间区域边缘与所述石英晶片相应临近外边缘的距离为所述石英晶片长度的1/5～1/10。

进一步地，所述覆膜的方式包括丝印、喷涂或直接粘贴预先成形的保护膜。

进一步地，所述保护材料包括聚氨酯类、乙烯酸酯类、丙烯酸酯类、聚对苯二甲酸类、环氧树脂类中的至少一种。

进一步地，所述石英晶片的规格为：厚度0.04～0.20mm、长0.8～3.6mm、宽0.6～2.0mm。

进一步地，所述石英晶片数量:研磨砂:钢珠:水为：3000～10000pcs:10～50g:100～500g:200～500ml。

进一步地，所述滚筒的转速为120～240rpm，加工时间为3～20h；所述滚筒的直径为50～120mm。

进一步地，所述研磨砂的材质为SiC或Ai₂O₃。

进一步地，所述脱膜方式包括热移除、光照射、或使用化学脱膜剂去除。