[发明专利]一种功率MOSFET封装热阻比较装置

说明书

本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中功率MOSFET压接在散热器上；恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本发明通过恒流控制板的控制作用，使流过功率MOSFET的电流得到精确控制，极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时，在相同的功率耗散条件下，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度，可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。

技术领域

本发明涉及半导体测试技术领域，具体涉及一种功率MOSFET封装热阻比较装置。

背景技术

对于功率MOSFET来说，其性能不仅与芯片电参数有关，而且封装过程中选用的塑封料、框架、焊料(或粘片胶)、引线及生产工艺等也会对其性能产生极大的影响。其中还有一个对其性能影响较大的参数是封装热阻，封装热阻的大小表明了其向外部扩散热量的能力，对产品的可靠性起了非常关键的作用。因此在实际的生产和使用中，经常需要对功率MOSFET的封装热阻进行简单比较或测量，以确定其性能的优劣。

目前，一般使用热阻测试仪来测量功率MOSFET的封装热阻，虽然可以直接测量出封装热阻，但其结构复杂、价格非常高，很多企业和个人无法承受，不能在实际的生产和使用中被广泛应用。

因此，现有技术中还有另外一种比较简便快捷的方式，即通过在工作状态下直接测量功率MOSFET的温升来对比封装内阻。但是这种方式是不科学的，因为对于不同的功率MOSFET来说，其动态和静态参数是存在差异的，即使是在相同工作条件下，器件本身也不可能有相同的功率耗散，所以测得的温升也不能完全反映封装热阻的大小，对比结果精度较低。

发明内容

本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，以解决现有技术中的测量装置使用成本高以及对比结果精度较低的问题。

本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中所述功率MOSFET压接在所述散热器上；所述可调直流电源的输出正极与所述功率MOSFET的漏极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接；所述开关电源的输出正级与所述恒流控制板的电源正极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接；所述恒流控制板的驱动端和回流端分别与所述功率MOSFET的栅极和源极连接，所述双路点温计的两路探头分别测量所述功率MOSFET的表面温度以及所述散热器上位于所述功率MOSFET底部处的温度。

作为本发明的优选方式，所述恒流控制板上设有恒流控制芯片，所述恒流控制芯片具有八个引脚，所述恒流控制芯片上还设有第一运算放大器、第二运算放大器和电压基准。

作为本发明的优选方式，所述第一运算放大器的输出端管脚与所述恒流控制芯片的第一引脚连接，负极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第二引脚连接，正极输入端管脚分别与所述恒流控制芯片的第三引脚和所述电压基准连接，所述电压基准的另一端与所述恒流控制芯片的第四引脚连接；所述第二运算放大器的输出端管脚与所述恒流控制芯片的第七引脚连接，负极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第六引脚连接，正极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第五引脚连接。