[发明专利]一种功率MOSFET封装热阻比较装置

权利要求书

1.一种功率MOSFET封装热阻比较装置，其特征在于，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中所述功率MOSFET压接在所述散热器上；所述可调直流电源的输出正极与所述功率MOSFET的漏极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接；所述开关电源的输出正级与所述恒流控制板的电源正极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接；所述恒流控制板的驱动端和回流端分别与所述功率MOSFET的栅极和源极连接，所述双路点温计的两路探头分别测量所述功率MOSFET的表面温度以及所述散热器上位于所述功率MOSFET下部位置处的温度。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述恒流控制板上设有恒流控制芯片，所述恒流控制芯片具有八个引脚，所述恒流控制芯片上还设有第一运算放大器、第二运算放大器和电压基准。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一运算放大器的输出端管脚与所述恒流控制芯片的第一引脚连接，负极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第二引脚连接，正极输入端管脚分别与所述恒流控制芯片的第三引脚和所述电压基准连接，所述电压基准的另一端与所述恒流控制芯片的第四引脚连接；所述第二运算放大器的输出端管脚与所述恒流控制芯片的第七引脚连接，负极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第六引脚连接，正极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第五引脚连接。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述恒流控制板上还设有四个分压电阻、一个电流采样电阻和三个滤波电容；所述恒流控制芯片的第八引脚和第四引脚经第三滤波电容滤波后分别与所述恒流控制板的电源正极和电源负极连接；所述恒流控制芯片的第一引脚和第二引脚分别与第一分压电阻的一端连接，所述第一分压电阻的另一端分别与第二分压电阻和所述恒流控制芯片的第五引脚连接，所述第二分压电阻的另一端与所述恒流控制芯片的第四引脚连接；第一滤波电容的一端与所述恒流控制芯片的第五引脚连接，另一端与所述恒流控制芯片的第四引脚连接；电流采样电阻的一端与所述恒流控制板的回流端连接，同时还经第四分压电阻与所述恒流控制芯片的第六引脚连接；第三分压电阻的一端与所述恒流控制芯片的第七引脚连接，另一端分别与所述恒流控制板的驱动端和第二滤波电容连接；所述第一滤波电容、所述电流采样电阻以及所述第二滤波电容的另一端还均与所述恒流控制板的电源负极连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，还包括交流输入电源，所述交流输入电源分别与所述可调直流电源和所述开关电源连接。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，所述开关电源的输出电压为15V。