[发明专利]一种基座和反应腔室

说明书

本发明公开了一种基座和反应腔室，该基座包括贯穿其的通孔，及设置在所述通孔内的顶针，所述顶针和所述基座可以在竖直方向上相对移动，以使所述顶针的顶端伸出所述通孔，或位于所述通孔内，所述通孔内设置有第一绝缘件，用于使所述顶针与所述基座绝缘。本发明中的基座的第一绝缘件设置于基座的通孔内，第一绝缘件用于使所述顶针与所述基座绝缘，从而避免了顶针与基座之间的打火现象。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种基座和反应腔室。

背景技术

等离子体设备广泛用于当今的半导体、太阳能电池、平板显示等制作工艺中。在目前的制造工艺中，已经使用等离子体设备类型有：直流放电、电容耦合等离子体(CCP)、电感耦合等离子体(ICP)以及电子回旋共振等离子体(ECR)等类型。目前这些类型的放电被广泛应用于物理气相沉积(PVD)，等离子体刻蚀以及等离子体化学气相沉积(CVD)等。

在PVD工艺设备中，特别是对于IC(集成电路)、TSV(硅穿孔)、Packaging(封装)制造工艺，需要一种预清洗(Preclean)腔室，将工艺气体，如氩气、氦气、H₂等，激发为等离子体，利用等离子体的化学反应和物理轰击作用，对晶圆或工件进行去杂质的处理，已利于后续的物理气相沉积(PVD)的有效进行。如图1所示，电容耦合等离子体发生装置原理图，上电极1为接地电极，下电极2与高频发生器3连接，下电极2为高频电极，工艺气体在上电极1和下电极2之间的电场中被激发为等离子体。

如图2所示，现有技术中的用于加工晶片的反应腔室4内具有用于支承被加工的晶片的基座5，其下部设有升降部6，用于使基座5在工艺位和传输位之间升降，顶针7用于支承晶片，以从机械手上接收或向机械手上传递晶片。加工晶片时，基座5首先位于传输位，使顶针7的端部高于基座5的上表面，从机械手上接收晶片，机械手将晶片送入反应腔室4内，并将其放置在顶针7上后退出反应腔室4；升降部6驱动基座5上升至工艺位，上升过程中，晶片从顶针7上转移至基座5的上表面，同时顶针7的端部收在基座的通孔8内。加工完成后，升降部6驱动基座5下降至传输位，下降过程中，顶针7的端部从基座的通孔8内伸出，将晶片从基座5的上表面转移至顶针7上，机械手重新伸入反应腔室4内把晶片取走。升降部6、顶针7均连接到反应腔室4，所以升降部6、顶针7均与反应腔室4等电位，处于接地状态；基座5与高频发生器连接，基座5为高电位。工艺时，顶针7的端部在基座的通孔8内，顶针7与基座5两者电位不同，在做高功率工艺时，顶针7与基座5之间经常发生打火现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种基座和反应腔室，该基座的第一绝缘件避免了顶针与基座之间的打火现象。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种基座，包括贯穿其的通孔，及设置在所述通孔内的顶针，所述顶针和所述基座可以在竖直方向上相对移动，以使所述顶针的顶端伸出所述通孔，或位于所述通孔内，所述通孔内设置有第一绝缘件，用于使所述顶针与所述基座绝缘。

优选的是，当所述顶针的顶端位于所述通孔内时，所述顶针的顶端位于所述第一绝缘件内。

优选的是，所述顶针的顶端距离所述第一绝缘件的顶端的距离为5～20mm。

优选的是，所述第一绝缘件的顶端与所述基座的上表面齐平。

优选的是，所述基座由上至下包括顶板、冷却盘、第二绝缘件和底座，所述第一绝缘件至少覆盖所述顶板和冷却盘的通孔的全部内壁，以及所述第二绝缘件的通孔的部分内壁。

优选的是，所述第一绝缘件包括两端开口的筒本体和设置于所述筒本体外壁的凸耳，所述凸耳位于所述冷却盘和所述第二绝缘件之间。

优选的是，所述第二绝缘件的上表面和/或所述冷却盘的下表面在其通孔的外缘处设有与所述凸耳形状匹配的台阶，所述凸耳位于所述台阶之内。