[发明专利]一种基座和反应腔室有效
| 申请号： | 201610131278.1 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180782B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋磊 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基座 反应 | ||
1.一种基座，包括贯穿其的通孔，及设置在所述通孔内的顶针，所述顶针和所述基座可以在竖直方向上相对移动，以使所述顶针的顶端伸出所述通孔，或位于所述通孔内，其特征在于，所述通孔内设置有第一绝缘件，用于使所述顶针与所述基座绝缘；
所述基座由上至下包括顶板、冷却盘、第二绝缘件和底座，所述第一绝缘件至少覆盖所述顶板和冷却盘的通孔的全部内壁，以及所述第二绝缘件的通孔的部分内壁；
所述第一绝缘件包括两端开口的筒本体和设置于所述筒本体外壁的凸耳，所述凸耳位于所述冷却盘和所述第二绝缘件之间；
所述基座还包括第三绝缘件，所述第三绝缘件环绕所述冷却盘，且位于所述顶板和所述第二绝缘件之间，用于使得反应腔室中的上屏蔽件与所述基座绝缘。
2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，当所述顶针的顶端位于所述通孔内时，所述顶针的顶端位于所述第一绝缘件内。
3.根据权利要求2所述的基座，其特征在于，所述顶针的顶端距离所述第一绝缘件的顶端的距离为5～20mm。
4.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述第一绝缘件的顶端与所述基座的上表面齐平。
5.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述第二绝缘件的上表面和/或所述冷却盘的下表面在其通孔的外缘处设有与所述凸耳形状匹配的台阶，所述凸耳位于所述台阶之内。
6.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，所述顶针与所述第一绝缘件之间的间隙的径向宽度为1～3mm。
7.一种反应腔室，其特征在于，包括权利要求1～6任意一项所述的基座。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
