[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

(a)将凹部形成到半导体衬底的表面，所述半导体衬底在背面侧上具有漏极层；

(b)在所述凹部的内壁上形成栅极绝缘膜；

(c)将栅电极掩埋在所述凹部中；

(d)将源极层形成到所述半导体衬底的表面侧上；

(e)在所述栅电极之上形成第三绝缘膜，

(f)在形成所述栅极绝缘膜之后并且在掩埋所述栅电极之后，在所述第三绝缘膜之上形成第一绝缘膜；

(g)在所述第一绝缘膜之上形成第二绝缘膜；以及

(h)从所述第一绝缘膜上方并且从所述第二绝缘膜上方执行利用氧化气氛的处理，

其中，所述第一绝缘膜所具有的透氧性低于所述第二绝缘膜的透氧性，以及

其中，所述第一绝缘膜所具有的透氧性低于所述第三绝缘膜的透氧性。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，在所述步骤(c)中，将所述栅电极形成为以使得所述栅电极的上端低于所述半导体衬底的表面。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，在所述步骤(e)中，将所述第三绝缘膜形成为以使得所述第三绝缘膜的上表面高于所述半导体衬底的表面。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第三绝缘膜的厚度大于所述第一绝缘膜的厚度。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第二绝缘膜的厚度大于所述第一绝缘膜的厚度。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一绝缘膜为SiN膜、SiC膜和SiCN膜中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第一绝缘膜为SiN膜，并且其厚度为6nm以上且7nm以下。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第二绝缘膜为非掺杂硅酸盐玻璃NSG膜、硼磷硅酸盐玻璃BPSG膜和旋涂玻璃SOG中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述第三绝缘膜为NSG膜和SOG膜中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

在所述步骤(h)之后，所述方法还包括步骤：

(i)将源极互连形成在所述第二绝缘膜之上以使得所述源极互连耦合到所述源极层。

11.根据权利要求10所述的制造半导体器件的方法，

其中，所述源极互连是Al膜。

12.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中，直接在所述栅电极上方形成所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜以使得覆盖所述栅电极的整个顶表面。