[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

说明书

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述半导体器件包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底上方，以覆盖所述半导体衬底，其中，所述绝缘层包括热的良导体；鳍片，位于所述热的良导体上。本发明中所述绝缘层不仅能够起到绝缘的作用，还能很好的将器件产生的热传导出去，进而避免了器件底部自加热效应，提高了所述半导体器件的性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，为了提高器件的性能，需要不断缩小集成电路器件的尺寸，随着CMOS器件尺寸的不断缩小，促进了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。

相对于现有的平面晶体管，所述FinFET器件在沟道控制以及降低短沟道效应等方面具有更加优越的性能；平面栅极结构设置于所述沟道上方，而在FinFET中所述栅极环绕所述鳍片设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。

通常FinFET器件包括衬底(例如绝缘体上硅(SOI))，位于衬底上的至少一个鳍片，其中所述鳍片包括一种材料，其中在所述鳍片上形成有L形的围绕所述鳍片的绝缘层，其中所述绝缘层的高度低于所述鳍片的高度，至少露出所述鳍片的部分侧壁，最后在所述鳍片上还形成有环绕所述鳍片的栅极结构。

所述FinFET器件虽然具有上述各种优点，但是也存在一些弊端，例如存在漏电流以及自加热效应(Self-Heating Effect)等，严重影响FinFET器件的性能和良率，需要对所述FinFET器件及其制备方法作进一步的改进，以便消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

绝缘层，位于所述半导体衬底上方，以覆盖所述半导体衬底，其中，所述绝缘层包括热的良导体；

鳍片，位于所述热的良导体上。

可选地，所述绝缘层包括氮化硼(BN)层。

可选地，所述绝缘层包括水平部分和竖直部分；

其中，所述水平部分位于所述半导体衬底上方，所述竖直部分呈柱形结构并相互间隔的插入所述半导体衬底中，所述竖直部分的一端与所述水平部分相连接。

本发明还提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有热的良导体的绝缘层，以覆盖所述半导体衬底；

在所述热的良导体的所述绝缘层上形成半导体材料层，以覆盖所述绝缘层；

图案化所述半导体材料层，以形成鳍片。

可选地，所述热的良导体的绝缘层包括氮化硼(BN)层。

可选地，在所述半导体衬底上形成热的良导体的所述绝缘层的步骤包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一介电层和第一绝缘层，所述第一绝缘层为热的良导体；

图案化所述第一绝缘层、所述第一介电层和所述半导体衬底，以形成若干相互间隔的凹槽；

沉积所述半导体材料层，以填充所述凹槽并覆盖所述绝缘层；

沉积第二介电层，以覆盖所述半导体材料层；