[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

绝缘层，位于所述半导体衬底上方，以覆盖所述半导体衬底，其中，所述绝缘层包括热的良导体，所述绝缘层包括水平部分和竖直部分，其中，所述水平部分位于所述半导体衬底上方，所述竖直部分呈柱形结构并相互间隔的插入所述半导体衬底中，所述竖直部分的一端与所述水平部分相连接；

鳍片，位于所述绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括氮化硼层。

3.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有热的良导体的绝缘层，以覆盖所述半导体衬底，所述绝缘层包括水平部分和竖直部分，其中，所述水平部分位于所述半导体衬底上方，所述竖直部分呈柱形结构并相互间隔的插入所述半导体衬底中，所述竖直部分的一端与所述水平部分相连接；

在所述热的良导体的所述绝缘层上形成半导体材料层，以覆盖所述绝缘层；

图案化所述半导体材料层，以形成鳍片。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述热的良导体的绝缘层包括氮化硼层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成热的良导体的所述绝缘层的步骤包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有第一介电层和第一绝缘层，所述第一绝缘层为热的良导体；

图案化所述第一绝缘层、所述第一介电层和所述半导体衬底，以形成若干相互间隔的凹槽；

沉积所述半导体材料层，以填充所述凹槽并覆盖所述绝缘层；

沉积第二介电层，以覆盖所述半导体材料层；

图案化所述第二介电层和所述半导体材料层，以去除所述凹槽中的所述半导体材料层，露出所述凹槽；

沉积第二绝缘层，以填充所述凹槽并覆盖所述第二介电层，所述第二绝缘层为热的良导体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层之后还包括：

回蚀刻所述第二绝缘层至所述第一绝缘层；

去除所述第二介电层；

继续沉积所述半导体材料层并退火，以填充所述第二绝缘层上方的凹槽；

图案化所述半导体材料层，以在所述第二绝缘层上形成所述鳍片。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，选用PVD工艺沉积所述半导体材料层。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，选用包括氯的等离子体回蚀刻所述第二绝缘层至所述第一绝缘层。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，选用包括氟的等离子体去除所述第二介电层。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽的开口尺寸为0.13um～0.35um。

11.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至2之一所述的半导体器件。