[发明专利]一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，阵列基板包括栅极等结构，制作栅极时通常采用构图工艺制作形成，即对沉积的栅极的金属层进行图案化后形成栅极；彩膜基板包括黑矩阵等结构，制作黑矩阵时通常也采用构图工艺制作形成，即对涂覆的黑矩阵的膜层进行图案化后形成黑矩阵。

现有技术对形成栅极的金属层以及形成黑矩阵的膜层等进行图案化时需要采用掩膜板，以对形成黑矩阵的膜层进行图案化为例进行说明，首先在衬底基板上涂覆一层形成黑矩阵的膜层，然后对该膜层采用掩膜板进行曝光，最后对曝光后的膜层进行显影，在衬底基板10上得到图案化的黑矩阵11，如图1所示，对黑矩阵11的图案的宽度进行测量得到，采用现有技术的掩膜板曝光后得到的黑矩阵11的图案宽度为6μm。

采用现有技术的掩膜板对阵列基板和/或彩膜基板上的膜层进行图案化后，制作的显示面板的解析度为400，若要制作更高解析度的显示面板，则需要购买新的掩膜板，采用新的掩膜板对阵列基板和/或彩膜基板上的膜层进行曝光，并对曝光后的膜层进行显影后形成的图案的宽度必须小于6μm，而形成的图案的宽度越小掩膜板的价位越高。

综上所述，现有技术要制作更高解析度的显示面板的生产成本较高。

发明内容

本发明实施例提供了一种膜层的图案化方法、基板及其制作方法、显示装置，用以在不需要购买新的掩膜板的情况下制作高解析度的基板，降低生产成本。

本发明实施例提供的一种膜层的图案化方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成一层膜层，对所述膜层进行曝光；

对曝光后的所述膜层进行显影，形成初步图案化的膜层；在显影过程中控制显影时长，使得所述初步图案化的膜层在与所述衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口；

对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，所述缺口上方位置处的膜层发生塌陷，使得所述初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层；

去除第一厚度的膜层，得到图案化的膜层。

由本发明实施例提供的膜层的图案化方法，该方法在显影后形成初步图案化的膜层，初步图案化的膜层在与衬底基板接触的一侧形成向内凹的缺口，并在后烘烤后，初步图案化的膜层形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的膜层和非塌陷位置处的第二厚度的膜层，之后去掉第一厚度的膜层，得到图案化的膜层，与现有技术膜层的图案化方法相比，能够实现更精细的图案，提高了解析度；另外，由于本发明实施例提供的膜层的图案化过程中不需要购买新的掩膜板，因此能够降低生产成本。

较佳地，所述缺口关于所述初步图案化的膜层的中心轴线对称分布。

较佳地，所述第一厚度的膜层关于所述初步图案化的膜层的中心轴线对称分布。

本发明实施例还提供了一种膜层的图案化方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成一层膜层，在所述膜层上涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；

对曝光后的所述光刻胶进行显影，形成初步图案化的光刻胶；在显影过程中控制显影时长，使得所述初步图案化的光刻胶在与所述膜层接触的一侧形成向内凹的缺口；

对完成上述步骤的衬底基板在预设温度下进行后烘烤，所述缺口上方位置处的光刻胶发生塌陷，使得所述初步图案化的光刻胶形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的光刻胶和非塌陷位置处的第二厚度的光刻胶；

去除第一厚度的光刻胶，得到图案化的光刻胶；

对衬底基板上未被所述图案化的光刻胶覆盖的所述膜层进行刻蚀，并去除剩余的光刻胶，得到图案化的膜层。

由本发明实施例提供的膜层的图案化方法，该方法在显影后形成初步图案化的光刻胶，初步图案化的光刻胶在与膜层接触的一侧形成向内凹的缺口，并在后烘烤后，初步图案化的光刻胶形成包括位于塌陷位置处的第一厚度的光刻胶和非塌陷位置处的第二厚度的光刻胶，之后去掉第一厚度的光刻胶，得到图案化的光刻胶，最后对未被图案化的光刻胶覆盖的膜层进行刻蚀，得到图案化的膜层，与现有技术膜层的图案化方法相比，由于刻蚀之前光刻胶的覆盖区域的面积减小，导致刻蚀后得到的图案化的膜层的尺寸减小，即能够实现更精细的图案，提高了解析度；另外，由于本发明实施例提供的膜层的图案化过程中不需要购买新的掩膜板，因此能够降低生产成本。

较佳地，所述缺口关于所述初步图案化的光刻胶的中心轴线对称分布。