[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度的N型发射区，该N型发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个N型发射区的下面有P型基区，P型基区的侧面连着掺杂浓度比P型基区高的P型浓基区，P型浓基区与P型浓基区汇流条正交，硅衬底片的上方有基极金属层，硅衬底片的上层N型高电阻率层位于P型基区以下和P型浓基区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层N型低电阻率层为集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：

所述基极金属层与P型浓基区汇流条相连接；

所述P型浓基区的上面与N型副发射区连接，该N型副发射区的上面与N型掺杂多晶硅层连接；

所述N型副发射区的侧面与N型发射区连接。

2.如权利要求1所述的多晶硅发射极晶体管，其特征在于：所述P型浓基区为平面型。

3.如权利要求1所述的多晶硅发射极晶体管，其特征在于：所述P型浓基区为槽型。

4.如权利要求1所述的多晶硅发射极晶体管，其特征在于：所述P型浓基区的结深比P型基区的结深深。

5.如权利要求1所述的多晶硅发射极晶体管，其特征在于：所述P型浓基区的结深比P型基区的结深浅。

6.一种多晶硅发射极晶体管的制造方法，其特征在于，包括下列工艺步骤：

A.提供下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片；

B.通过氧化、光刻、硼离子注入、扩散推进工艺，形成P型基区、P型浓基区、P型浓基区汇流条，在扩散推进后，硅衬底的上表面有一层氧化层；

C.选择性地腐蚀氧化层，把P型基区和P型浓基区上面的氧化层腐蚀干净，保留P型浓基区汇流条上面的氧化层；

D.淀积多晶硅层；

E.磷离子注入，形成N型掺杂多晶硅层，并通过扩散推进在硅衬底片P型基区的上部形成N型发射区，在P型浓基区的上部形成N型副发射区；

F.选择性地掩蔽和腐蚀掺杂多晶硅层，在N型发射区和N型副发射区的上方留有掺杂多晶硅层，在P型浓基区汇流条的上方不留掺杂多晶硅层；

G.选择性地腐蚀氧化层，把P型浓基区汇流条上面的氧化层腐蚀干净，形成接触孔；

H.溅射金属层；

I.选择性的掩蔽和腐蚀金属层，形成互相分离的发射极金属层和基极金属层；

J.背面减薄、溅射集电极金属层。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤B中形成P型基区、P型浓基区、P型浓基区汇流条的顺序为：先形成P型基区，然后形成P型浓基区和P型浓基区汇流条。

8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤B中形成P型基区、P型浓基区、P型浓基区汇流条的顺序为：先形成P型浓基区和P型浓基区汇流条，然后形成P型基区。

9.如权利要求6-8任一项所述的制造方法，其特征在于，所述步骤B中P型浓基区、P型浓基区汇流条为通过挖槽形成的槽型的P型浓基区和槽型的P型浓基区汇流条。

10.如权利要求6-8任一项所述的制造方法，其特征在于，所述步骤B中P型浓基区、P型浓基区汇流条为平面型的P型浓基区和平面型的P型浓基区汇流条。