[发明专利]电子元件的转移方法及电子模块有效
申请号: | 201610124098.0 | 申请日: | 2016-03-04 |
公开(公告)号: | CN107046004B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 吴明宪;方彦翔 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H05K13/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 转移 方法 电子 模块 | ||
本发明公开一种电子元件的转移方法及电子模块,该电子元件的转移方法包括形成阵列排列的多个电子元件于载板上,其中各电子元件与载板之间包括第一导电层,第一导电层包括与该电子元件接触的导电图案,且各电子元件的宽度大于对应的导电图案的宽度;通过转移模块选择性地从载板拾起部分这些电子元件以及对应的第一导电层;以及将被转移模块所拾起的部分这些电子元件及对应的第一导电层转移至目标基板上。本发明更提供一种电子模块。
技术领域
本发明涉及一种元件的转移方法及具有此元件的模块,且特别是涉及一种电子元件的转移方法及一种电子模块。
背景技术
无机发光二极管显示器具备主动发光、高亮度等特点,因此已经广泛地被应用于照明、显示器、投影机等技术领域中。以单片微显示器(monolithic micro-displays)为例,单片微显示器广泛地被使用于投影机且一直以来都面临彩色化的技术瓶颈。目前,已有现有技术提出利用外延技术于单一发光二极管芯片中制作出多层能够发出不同色光的发光层,以使单一发光二极管芯片即可提供不同色光。但由于能够发出不同色光的发光层的晶格常数不同,因此不容易成长在同一个基板上。此外,其他现有技术提出了利用发光二极管芯片搭配不同色转换材料的彩色化技术,其中当发光二极管芯片发光时,色转换材料被激发而发出不同色光的激发光,但是此技术仍面临色转换材料的转换效率过低以及涂布均匀性等问题。
除了上述两种彩色化技术,亦有现有技术提出了发光二极管的转贴技术,由于能够发出不同色光的发光二极管可分别在适当的基板上成长,故发光二极管能够具备较佳的外延品质与发光效率。是以,发光二极管的转贴技术较有机会使单片微显示器的亮度以及显示品质提升。然而,如何快速且有效率地将发光二极管转贴至单片微显示器的线路基板上,实为目前业界关注的议题之一。此外,由于发光二极管的尺寸微型化,如何使微型化的发光二极管所发出的光线具有较佳的准直性也是业界关注的另一个焦点。
发明内容
本发明提供一种电子元件的转移方法,其可快速且有效率地将电子元件转移至目标基板。
本发明提供一种电子模块,其具有上述的电子元件。
本发明的一种电子元件的转移方法,包括:形成阵列排列的多个电子元件于载板上,其中各电子元件与载板之间包括第一导电层,第一导电层包括与该电子元件接触的导电图案,且各电子元件的宽度大于对应的导电图案的宽度;通过转移模块选择性地从载板拾起部分这些电子元件以及对应的第一导电层;以及将被转移模块所拾起的部分这些电子元件及对应的第一导电层转移至目标基板上。
本发明的一种电子模块,包括目标基板、电子元件及合金层。电子元件配置在目标基板上方。合金层配置在目标基板与电子元件之间,其中合金层包括至少40%的低融点金属,其中低融点金属的融点低于摄氏250度,且合金层的融点高于摄氏300度。
综上所述,本发明的电子元件的转移方法包括多种形成电子元件的方法、多种转移前通过支撑材料层或是接着层来支撑第一导电层的其中一部分以利后续电子元件与第一导电层脱离载板的方法、以及将电子元件从载板转移到目标基板且与目标基板接合的方法。本发明的电子元件的转移方法适用于尺寸介于1微米至100微米之间的电子元件,以使微型化的电子元件能够高效率且精准地被转移至目标基板上。此外,本发明还提供了一种电子模块,其电子元件与所接合的目标基板之间具有合金层,其中合金层包括至少40%的低融点金属,低融点金属的融点低于摄氏250度,且合金层的融点高于摄氏300度。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1N’为本发明的一实施例的一种电子元件的转移方法的流程示意图;
图1O至图1Y分别为本发明的其他些实施例的流程中的移除位于各电子元件之间的部分支撑材料层后的俯视示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造