[发明专利]电子元件的转移方法及电子模块有效
| 申请号: | 201610124098.0 | 申请日: | 2016-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN107046004B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
| 发明(设计)人: | 吴明宪;方彦翔 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H05K13/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子元件 转移 方法 电子 模块 | ||
1.一种电子元件的转移方法,其特征在于,包括:
形成阵列排列的多个电子元件于载板上,其中各该电子元件与该载板之间包括第一导电层,该第一导电层包括与该电子元件接触的导电图案,且各该电子元件的宽度大于对应的该导电图案的宽度;
通过转移模块选择性地从该载板拾起部分该些电子元件以及对应的第一导电层;以及
将被该转移模块所拾起的部分该些电子元件及对应的第一导电层转移至目标基板上。
2.如权利要求1所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中该些电子元件的形成方法包括:
形成元件层于成长基板上,该元件层包括阵列排列的该些电子元件;
形成该些第一导电层于该元件层上对应于该些电子元件处;
令形成于该成长基板上的该元件层与该些第一导电层通过接着层连接至该载板;
移除该成长基板;以及
图案化该元件层。
3.如权利要求2所述的电子元件的转移方法,其特征在于,在形成该些电子元件之后,还包括:
图案化该接着层以形成对应于该些第一导电层的多个接着单元,且使得部分的该载板外露;
配置支撑材料层于该载板上,且该支撑材料层位于该些电子元件之间;
移除位于各该电子元件之间的部分该支撑材料层;以及
移除该些接着单元。
4.如权利要求3所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中在移除位于各该电子元件之间的部分该支撑材料层之后,剩余的该支撑材料层对称地位于该些电子元件周围。
5.如权利要求3所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中在移除位于各该电子元件之间的部分该支撑材料层之后,剩余的该支撑材料层不对称地位于该些电子元件周围。
6.如权利要求3所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中在配置该支撑材料层于该载板且该支撑材料层环绕该些电子元件的步骤中,该电子元件包括靠近该载板的第一面与远离该载板的第二面,该支撑材料层在该载板上的高度大于该第一面与该载板之间的距离,且小于该第二面与该载板之间的距离。
7.如权利要求2所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中在移除该成长基板之后,还包括:
薄化该元件层。
8.如权利要求2所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中该元件层被图案化之后,该些电子元件彼此分离地排列于该载板上。
9.如权利要求2所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中该元件层被图案化之后,该些电子元件相互连接地或彼此分离地排列于该成长基板上。
10.如权利要求9所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中该元件层被图案化之后,还包括:
形成接触于该些第一导电层的多个可移除材料层;以及
在移除该成长基板之后,还包括移除该些可移除材料层。
11.如权利要求2所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中在形成该些第一导电层于该元件层的步骤之后,还包括:
形成多个可移除材料层于该元件层上且接触该些第一导电层;以及
在图案化该元件层之后,还包括移除该些可移除材料层。
12.如权利要求1所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中该目标基板包括阵列排列的多个第二导电层,各该第一导电层还包括连接于该导电图案的金属层,被该转移模块所拾起的部分该些电子元件通过对应的该些金属层连接于部分的该些第二导电层。
13.如权利要求12所述的电子元件的转移方法,其特征在于,其中该些金属层具有导磁性,且该些第二导电层具有导磁性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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