[发明专利]n‑型CuIn3Se5基中高温热电半导体的非平衡制备工艺有效
| 申请号： | 201610121805.0 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105800569B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙)33227 | 代理人： | 潘杰,白洪长 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cuin sub se 高温 热电 半导体 及其 平衡 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种n-型CuIn3Se5基中高温热电半导体的非平衡制备工艺，在CuIn3Se5半导体中采用摩尔分数为0.011的S元素等摩尔替换Se元素，构成四元热电半导体，该四元热电半导体的化学式为CuIn3S0.1Se4.9其特征在于该制备工艺是根据化学式CuIn3S0.1Se4.9将Cu、In、S、Se四种元素放置在石英管内真空熔炼合成，熔炼合成温度为1050～1150℃，合成时间70～75小时，熔炼合成后迅速在液氮中急冷淬火，将淬火后的铸锭粉碎、球磨，球磨时间为5小时，球磨干燥后的粉末在短时间内经放电等离子火花烧结成形，总烧结时间不超过2分钟，烧结温度为650～750℃，烧结压力为55～65Mpa，在923K和523K各保温10秒，制备得到CuIn3S0.1Se4.9热电半导体。
2.根据权利要求1所述的一种n-型CuIn3Se5基中高温热电半导体的非平衡制备工艺，其特征在于所述CuIn3S0.1Se4.9热电半导体的熔炼合成温度为1100℃，烧结温度为700℃，烧结压力60MPa，烧结时间2分钟。
3.根据权利要求1所述的一种n-型CuIn3Se5基中高温热电半导体的非平衡制备工艺，其特征在于将所述四种元素先在高真空手套箱中配料，后直接放置在石英管中用石蜡封口，取出后迅速真空封装。
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