[发明专利]存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有多个存储单元的存储器元件，包括：

多个叠层结构，是由多个导电条带所构成；其中，这些导电条带是被多个绝缘条带所分隔；

多个数据储存结构，包含多个浮置栅极沿着这些叠层结构中的这些导电条带设置；

多个垂直通道膜，位于这些叠层结构的多个侧壁上；以及

这些存储单元中的多个存储单元，具有位于这些垂直通道膜中的多个通道，以及位于这些导电条带中的多个控制栅极；

其中这些存储单元中的多个存储单元，具有位于这些导电条带中的多个特定导电条带中的多个控制栅极，以及位于这些特定导电条带的一第一侧边上的多个浮置栅极；且这些存储单元中的多个邻接存储单元，具有位于这些特定导电条带中的多个控制栅极，以及位于这些特定导电条带中与该第一侧边相反的一第二侧边上的多个浮置栅极。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中这些浮置栅极与这些叠层结构中的这些导电条带共平面。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中这些浮置栅极位于这些叠层结构中的这些导电条带之间。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括：

一隧穿氧化层，位于这些垂直通道膜和这些浮置栅极之间；以及

一栅极层间介电材料层，位于这些导电条带和这些浮置栅极之间，并且位于这些绝缘条带和这些浮置栅极之间。

5.根据权利要求1所述的存储器元件，其中这些垂直通道膜连接至位于这些叠层结构下方的一基材；且多个垂直通道膜中的两个相邻垂直通道膜，位于这些叠层结构中的两相邻叠层结构之上，并经由位于该两相邻叠层结构之间的一焊垫，于这些相邻垂直通道膜远离该基材的多个末端相互连接；

该存储器元件更包括位于这些叠层结构上的一或多个图案化导电层，该一或多个图案化导电层包括一位线以及用来将该位线连接至该焊垫的一层间连接器。

6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中这些垂直通道膜包括位于这些叠层结构中的二相邻叠层结构中的一第一叠层结构和一第二叠层结构上的一第一垂直通道膜和一第二垂直通道膜；该第一垂直通道膜包含一第一焊垫位于该第一叠层结构的上方，及该第一垂直通道膜的一顶端；该第二垂直通道膜包含一第二焊垫位于该第二叠层结构的上方，及该第二垂直通道膜的一顶端；该第一垂直通道膜和该第二垂直通道膜在分别远离该第一焊垫及该第二焊垫的二末端相互连接，以形成一电流通路，由位于该第一叠层结构上方的该第一焊垫连通至位于该第二叠层结构上方的该第二焊垫；

该存储器元件更包括：位于这些叠层结构上的一或多个图案化导电层，该一或多个图案化导电层包括一位线、一源极线以及一层间连接器，该层间连接器用来将该位线连接至位于该第一叠层结构上方的该第一焊垫，以及用来将该源极线连接至位于该第二叠层结构上方的该第二焊垫。

7.根据权利要求1所述的存储器元件，其中这些浮置栅极具有小于20纳米的一厚度。

8.根据权利要求1所述的存储器元件，其中位于这些数据储存结构中的这些浮置栅极包括一导电材料。

9.根据权利要求1所述的存储器元件，其中位于这些叠层结构的一者中的一特定浮置栅极与位于该同一叠层结构中垂直邻接于该特定浮置栅极的多个其他浮置栅极相互隔离。

10.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括一固态介电材料，位于这些叠层结构的二相邻叠层结构上的两个垂直通道膜之间。

11.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括一空隙，位于这些叠层结构的二相邻叠层结构上的两个垂直通道膜之间。