[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层，P型层上设有延伸至N型层的凹槽，P型层上设有电流阻挡层和透明导电层，电流阻挡层上设有P型电极，N型层上设有N型电极，电流阻挡层为SiO₂层和SiN层的复合结构，SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiN层、以及设置在SiN层上的SiO₂层，或者SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及设置在SiO₂层上的SiN层，或者SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及插设在SiO₂层中间的SiN层。本发明提高了LED芯片的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小的特点，被广泛地应用于显示屏、背光源和照明领域。

LED芯片是LED的核心组件。现有的LED芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型层、发光层、P型层、电流阻挡层、透明导电层、P型电极，P型层上设有延伸至N型层的凹槽，N型层上设有N型电极。N型层上还可以设有延伸至衬底的隔离槽，隔离槽内设有绝缘层，绝缘层上设有连接P型电极和N型电极的电气连接结构。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

电流阻挡层和绝缘层通常都采用SiO₂实现，由于SiO₂的绝缘性和稳定性有欠缺，造成现有LED芯片的良率不理想。

发明内容

为了解决现有技术LED芯片的良率不理想的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法。所述技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述P型层上设有电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层上设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述电流阻挡层为SiO₂层和SiN层的复合结构，所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiN层、以及设置在所述SiN层上的SiO₂层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及设置在所述SiO₂层上的SiN层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及插设在所述SiO₂层中间的SiN层；

所述N型层上设有延伸至所述衬底的隔离槽，所述隔离槽内设有绝缘层，所述绝缘层上设有连接所述P型电极和所述N型电极的电气连接结构，所述绝缘层为所述SiO₂层和SiN层的复合结构。

可选地，所述SiO₂层的厚度为当所述SiO₂层设置在所述SiN层上时，或者当所述SiN层设置在所述SiO₂层上时，所述SiN层的厚度为当所述SiN层插设在所述SiO₂层中间时，所述SiN层的厚度为

第二方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的制备方法，适用于制备第一方面提供的发光二极管芯片，所述制备方法包括：

在衬底上依次生长N型层、发光层、P型层；

在所述P型层上开设延伸至所述N型层的凹槽；