[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述P型层上设有电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层上设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，其特征在于，所述电流阻挡层为SiO₂层和SiN层的复合结构，所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiN层、以及设置在所述SiN层上的SiO₂层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及设置在所述SiO₂层上的SiN层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及插设在所述SiO₂层中间的SiN层；

所述N型层上设有延伸至所述衬底的隔离槽，所述隔离槽内设有绝缘层，所述绝缘层上设有连接所述P型电极和所述N型电极的电气连接结构，所述绝缘层为所述SiO₂层和SiN层的复合结构。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为当所述SiO₂层设置在所述SiN层上时，或者当所述SiN层设置在所述SiO₂层上时，所述SiN层的厚度为当所述SiN层插设在所述SiO₂层中间时，所述SiN层的厚度为

3.一种发光二极管芯片的制备方法，适用于制备如权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上依次生长N型层、发光层、P型层；

在所述P型层上开设延伸至所述N型层的凹槽；

在所述P型层上设置电流阻挡层和透明导电层，所述电流阻挡层为SiO₂层和SiN层的复合结构，所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiN层、以及设置在所述SiN层上的SiO₂层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及设置在所述SiO₂层上的SiN层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及插设在所述SiO₂层中间的SiN层；

在所述电流阻挡层上设置P型电极，在所述N型层上设置N型电极；

所述制备方法还包括：

在所述N型层开设延伸至所述衬底的隔离槽；

在所述隔离槽内设置绝缘层，所述绝缘层为所述SiO₂层和SiN层的复合结构；

在所述绝缘层上设置连接所述P型电极和所述N型电极的电气连接结构。

4.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有延伸至所述N型层的凹槽，所述N型层上设有延伸至所述衬底的隔离槽，所述隔离槽内设有绝缘层，所述P型层上设有P型电极，所述N型层上设有N型电极，所述绝缘层上设有连接所述P型电极和所述N型电极的电气连接结构，其特征在于，所述绝缘层为SiO₂层和SiN层的复合结构，所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiN层、以及设置在所述SiN层上的SiO₂层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及设置在所述SiO₂层上的SiN层，或者所述SiO₂层和SiN层的复合结构包括SiO₂层、以及插设在所述SiO₂层中间的SiN层。