[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、程序及存储介质。

背景技术

作为在半导体器件的制造工序中所使用的衬底处理装置的一个方式而公知如下装置，其具有例如多个具有处理室(反应器)的处理模块(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2012-54536号公报

在上述构成的衬底处理装置中，为了提高形成在衬底上的膜的品质，考虑以高温处理衬底。以高温处理衬底的情况下，在上述装置中，使载置衬底的处理室成为高温状态。

然而，由于装置运用的问题，所以在将处理室维持在高温的情况下，处理室的周围的构造被加热，会对其构造带来不良影响。

发明内容

本发明的目的在于，即使在将处理室维持在高温来处理衬底的情况下，也能够抑制对周围构造的热影响。

根据本发明的一个方式，提供一种衬底处理装置，其具有：

第一处理室，其具有加热第一衬底的第一加热部、处理所述第一衬底的第一处理空间、配置在所述第一处理空间的下方的第一输送空间以及构成所述第一处理空间和所述第一输送空间的壁；

第二处理室，其具有隔着作为所述壁的一部分的共用壁而与所述第一处理室相邻并加热第二衬底的第二加热部、处理所述第二衬底的第二处理空间以及配置在所述第二处理空间的下方的第二输送空间；

其他壁，其在构成所述第一处理室和所述第二处理室的壁中构成与所述共用壁不同的壁；和

冷却流路，其设在所述共用壁和所述其他壁上，以使所述共用壁的冷却效率比所述其他壁高的方式构成。

发明的效果

根据本发明，即使在将处理室维持在高温并处理衬底的情况下，也能够抑制对周围构造的热影响。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

图2是用于说明本发明的第一实施方式的衬底处理装置和调温系统的关系的说明图。

图3是示意地表示本发明的第一实施方式的衬底处理装置的处理室的概要构成的一例的说明图。

图4是示意地表示本发明的第一实施方式的衬底处理装置中的配管的一例的说明图。

图5是表示本发明的第一实施方式的衬底处理工序的概要的流程图。

图6是表示图5的衬底处理工序中的成膜工序的详细情况的流程图。

图7是表示本发明的第二实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

图8是表示本发明的第三实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

图9是表示本发明的第四实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

图10是表示本发明的第五实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

图11是表示本发明的第六实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

图12是表示本发明的第七实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

附图标记的说明

1…衬底处理装置，10…主体部，20…调温系统部，200…晶圆(衬底)，280…控制器，310a～310d…配管，311…上游配管部，312…下游配管部，PM1～PM4…处理模块，RC1～RC8、RCL、RCR…处理室

具体实施方式

以下，关于本发明的实施方式，参照附图进行说明。

[本发明的第一实施方式]

首先，关于本发明的第一实施方式进行说明。

(1)衬底处理装置的构成

图1、图2是表示第一实施方式的衬底处理装置的概要构成例的说明图。

图例的衬底处理装置1大体上具有衬底处理装置的主体部10、调温系统部20和控制器280。

＜主体部的构成＞

衬底处理装置1的主体部10是在衬底输送腔室的周围具有多个处理腔室的所谓集群式的装置。集群式的衬底处理装置1的主体部10用于处理作为衬底的晶圆200，主要由IO载台110、大气输送室120、加载互锁真空室(load-lock chamber)130、真空输送室140和处理模块(工艺模块：Process Module)PM1～PM4构成。以下，关于各构成进行具体说明。在图1的说明中，关于前后左右，X1方向是右，X2方向是左，Y1方向是前，Y2方向是后。

(大气输送室·IO载台)