[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

第一处理室，其具有加热第一衬底的第一加热部、处理所述第一衬底的第一处理空间、配置在所述第一处理空间的下方的第一输送空间、以及构成所述第一处理空间和所述第一输送空间的壁；

第二处理室，其具有隔着作为所述壁的一部分的共用壁而与所述第一处理室相邻并加热第二衬底的第二加热部、处理所述第二衬底的第二处理空间、以及配置在所述第二处理空间的下方的第二输送空间；

其他壁，其在构成所述第一处理室和所述第二处理室的壁中构成与所述共用壁不同的壁；

冷却流路，其设置于所述共用壁和所述其他壁，以使所述共用壁的冷却效率比所述其他壁高的方式构成。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述冷却流路具有从上游按顺序连续地构成的上层侧贯穿配管部、上层侧外周配管部、下层侧贯穿配管部和下层侧外周配管部，

所述上层侧贯穿配管部和所述下层侧贯穿配管部设置于所述共用壁，所述上层侧外周配管部和所述下层侧外周配管部设置于所述其他壁。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述共用壁中的每单位长度的冷却流路的表面积比所述其他壁的每单位长度的冷却流路的表面积大。

4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的上游端连接在供给热媒的配管上，下游端连接在排出热媒的配管上，所述上游侧的配管配置于所述共用壁。

5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的上端设在比所述第一加热部或所述第二加热部的下端低的位置。

6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流 路的下端设在比设于所述其他壁的密闭部件高的位置。

7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述共用壁中的每单位长度的冷却流路的表面积比所述其他壁的每单位长度的冷却流路的表面积大。

8.如权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的上游端连接在供给热媒的配管上，下游端连接在排出热媒的配管上，所述上游侧的配管配置于所述共用壁。

9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的上端设在比所述第一加热部或所述第二加热部的下端低的位置上。

10.如权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的下端设在比设于所述其他壁的密闭部件高的位置。

11.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的上游端连接在供给热媒的配管上，下游端连接在排出热媒的配管上，所述上游侧的配管配置于所述共用壁。

12.如权利要求11所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的上端设在比所述第一加热部或所述第二加热部的下端低的位置。

13.如权利要求12所述的衬底处理装置，其特征在于，所述冷却流路的下端设在比设于所述其他壁的密闭部件高的位置。

14.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，在所述共用壁上设有温度传感器。

15.如权利要求14所述的衬底处理装置，其特征在于，设在所述共用壁上的温度传感器具有检测所述第二冷却流路中的设在上层侧的流路附近的温度的温度传感器、和检测设在下方的流路附近的温度的温度传感器。

16.如权利要求15所述的衬底处理装置，其特征在于，在所述其他壁上设有温度传感器。

17.如权利要求15所述的衬底处理装置，其特征在于，设在所述 共用壁上的温度传感器在垂直方向上设在所述冷却流路的上端和下端之间。

18.如权利要求14所述的衬底处理装置，其特征在于，在所述其他壁上设有温度传感器。

19.如权利要求14所述的衬底处理装置，其特征在于，设在所述共用壁上的温度传感器在垂直方向上设在所述冷却流路的上端和下端之间。

20.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

将衬底送入至第一处理室，并且将衬底送入至第二处理室的工序，所述第一处理室具有加热第一衬底的第一加热部、处理所述第一衬底的第一处理空间、配置在所述第一处理空间的下方的第一输送空间、以及构成所述第一处理空间和所述第一输送空间的壁，所述第二处理室具有隔着作为所述壁的一部分的共用壁而与所述第一处理室相邻并加热第二衬底的第二加热部、处理所述第二衬底的处理空间、以及配置在所述第二处理空间的下方的第二处理空间；和

在构成所述第一处理室和所述第二处理室的壁中，使所述共用壁的冷却效率高于构成与所述共用壁不同的壁的其他壁的冷却效率的状态下，在所述第一处理室和所述第二处理室中处理衬底的工序。