[发明专利]互补型薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一第一钝化层、一第一电极金属层及一第二电极金属层，所述N型半导体层设置在所述基板上方，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上方，所述P型半导体层包含一有机半导体材料；所述第一钝化层设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接。

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法，特别是有关于一种互补型薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)是一种集成电路的设计制程，可以在硅质晶圆模板上制出N型沟道金属氧化物半导体(n-type MOSFET,NMOS)和P型沟道金属氧化物半导体(p-type MOSFET,PMOS)的基本组件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS。CMOS在一般的制程上，可用来制作静态随机存储器、微控制器、微处理器、以及互补式金属氧化物半导体图像传感装置与其他数位逻辑电路系统。也就是说，CMOS由P型沟道金属氧化物半导体和N型沟道金属氧化物半导体共同构成，而CMOS电路是作为集成电路中的基本电路结构。其中CMOS传输门由一个P型沟道和一个N型沟道MOSFET并联而成，除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。

目前显示面板中的基板大部分为玻璃基板或塑料基板(PEN)等，如图1所示，为一种互补型薄膜晶体管的传输门(CTFTTransmission Gate)的电路图，所述互补型薄膜晶体管的传输门电性连接脉冲触发信号端CP、CN，且所述互补型薄膜晶体管的传输门具有一P型薄膜晶体管11，及一N型薄膜晶体管12，其中所述P型薄膜晶体管11及所述N型薄膜晶体管12形成并联。

然而，在低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)的技术中，通过在沟道处使用不同类型的掺杂可以形成P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管，但其工艺流程较为复杂，而且其制备成本也比较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种互补型薄膜晶体管，通过在所述基板上方设置金属氧化物材料的N型半导体层及有机半导体材料的P型半导体层，能够用以改善器件特性。

本发明的另一目的在于提供一种互补型薄膜晶体管的制造方法，利用在N型半导体层形成步骤中形成金属氧化物材料的N型薄膜晶体，及在P型半导体层形成步骤中形成有机半导体材料的P型薄膜晶体，可减少工艺制备流程并降低制造成本。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种互补型薄膜晶体管，其包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一第一钝化层、一第一电极金属层及一第二电极金属层；所述N型半导体层设置在所述基板上方，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上方，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；所述第一钝化层设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；所述第一电极金属层形成在所述N型半导体层上；所述第二电极金属层形成在所述第一钝化层上，所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接。

在本发明的一实施例中，所述互补型薄膜晶体管还包含一第一栅极层及一绝缘层，所述第一栅极层形成在所述基板上，所述绝缘层形成在所述第一栅极层及所述基板上，其中所述N型半导体层形成在所述绝缘层上。

在本发明的一实施例中，所述互补型薄膜晶体管还包含一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层及所述绝缘层上。

在本发明的一实施例中，所述互补型薄膜晶体管的第一电极金属层形成在所述绝缘层及所述N型半导体层上。