[发明专利]互补型薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：

一基板；

一N型半导体层，设置在所述基板上方，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；

一P型半导体层，设置在所述N型半导体层上方，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；

一第一钝化层，设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；

一第一电极金属层，形成在所述N型半导体层上；及

一第二电极金属层，形成在所述第一钝化层上，所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接；

一第一栅极层，形成在所述基板上；

一绝缘层，形成在所述第一栅极层及所述基板上，其中所述N型半导体层形成在所述绝缘层上；

一第二钝化层，形成在所述第二电极金属层、所述第一钝化层及所述P型半导体层上；及

一第二栅极层，形成在所述第二钝化层上。

2.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管还包含一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层及所述绝缘层上。

3.如权利要求1或2所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管的第一电极金属层，形成在所述绝缘层及所述N型半导体层上。

4.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述N型半导体层的金属氧化物材料选自于铟镓锌氧化物、铟锌氧化物或锌锡氧化物。

5.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述P型半导体层的有机半导体材料选自于并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物或花菁。

6.一种互补型薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：

一第一栅极层形成步骤，将一第一栅极层形成在一基板上；

一绝缘层形成步骤，将一绝缘层形成在所述第一栅极层及所述基板上；

一N型半导体层形成步骤，将一N型半导体层形成在绝缘层上，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；

一第一电极金属层形成步骤，将一第一电极金属层形成在所述N型半导体层及所述绝缘层上；

一第一钝化层形成步骤，将一第一钝化层形成在所述N型半导体层、所述第一电极金属层及所述绝缘层上，并形成有至少一接触过孔；

一第二电极金属层形成步骤，将一第二电极金属层形成在所述第一钝化层上，且所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接；

一P型半导体层形成步骤，将一P型半导体层形成在所述第一钝化层及所述第二电极金属层上，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；及

一第二栅极层形成步骤，将一第二钝化层形成在所述第二电极金属层、所述第一钝化层及所述P型半导体层上，接着将一第二栅极层形成在所述第二钝化层上。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述制造方法在所述N型半导体层形成步骤之后还包含：一刻蚀阻挡层形成步骤，将一刻蚀阻挡层形成在所述N型半导体层及所述绝缘层上。