[发明专利]一种电子设备

说明书

本发明实施例公开了一种电子设备。所述电子设备包括类型相同的第一组件和第二组件；所述第一组件和所述第二组件之间的距离小于第一阈值；所述第一组件的第一参数和所述第二组件的第二参数不同，以使得所述第一组件与所述第二组件通电后，所述第一组件的第一反映参数与所述第二组件的第二反映参数的差值在预设阈值范围内，和/或，所述第一反映参数的方向与所述第二反映参数的方向相反；其中，所述第一参数与所述第二参数为同一类型参数。

技术领域

本发明涉及抗干扰技术，具体涉及一种电子设备。

背景技术

现有技术中，由于电子设备轻薄化趋势的影响，电子设备内部的主板面积有限，在进行元器件布局时，通常会出现相邻元器件之间距离较近的情况。由于元器件本身的物理特性可能会对相邻的其他元器件带来干扰。在较小区域并列布局两个以上相同元器件的情况下，这种干扰会更严重。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提供一种电子设备，能够降低较小区域并列布局两个以上相同元器件的情况下的干扰。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括类型相同的第一组件和第二组件；所述第一组件和所述第二组件之间的距离小于第一阈值；

所述第一组件的第一参数和所述第二组件的第二参数不同，以使得所述第一组件与所述第二组件通电后，所述第一组件的第一反映参数与所述第二组件的第二反映参数的差值在预设阈值范围内，和/或，所述第一反映参数的方向与所述第二反映参数的方向相反；

其中，所述第一参数与所述第二参数为同一类型参数。

上述方案中，所述第一组件包括第一子组件和第二子组件，所述第一子组件、所述第二组件和所述第二子组件依次并列排布；所述第一子组件两端承载的第一电位、所述第二组件两端承载的第二电位和所述第二子组件两端承载的第三电位相等。

上述方案中，所述第一子组件的第一参数和所述第二子组件的第一参数相等，所述第二组件的第二参数小于所述第一参数。

上述方案中，所述第一组件和所述第二组件为场效应管(MOSFET)，所述第一参数和所述第二参数为MOSFET漏极与源极导通时漏极与源极之间的电阻。

上述方案中，所述第一组件和所述第二组件为电感，所述第一参数和所述第二参数为电感内阻。

上述方案中，所述第一反映参数为所述第一组件通电后通过所述第一组件的电流；相应的，所述第二反映参数为所述第二组件通电后通过所述第二组件的电流；则所述第一反映参数与所述第二反映参数的差值为零。

上述方案中，所述第一组件和所述第二组件并列排布；所述第一组件和所述第二组件中均包括线圈绕组，且所述第一组件中的线圈绕组的缠绕方向和所述第二组件中的线圈绕组的缠绕方向相同。

上述方案中，所述第一组件和所述第二组件为电感；所述第一参数和所述第二参数分别为所述第一组件和所述第二组件的电流；

所述第一组件的第一参数和所述第二组件的第二参数不同为：所述第一组件的电流方向与所述第二组件的电流方向相反。

本发明实施例提供的电子设备，所述电子设备包括类型相同的第一组件和第二组件；所述第一组件和所述第二组件之间的距离小于第一阈值；所述第一组件的第一参数和所述第二组件的第二参数不同，以使得所述第一组件与所述第二组件通电后，所述第一组件的第一反映参数与所述第二组件的第二反映参数的差值在预设阈值范围内，和/或，所述第一反映参数的方向与所述第二反映参数的方向相反；其中，所述第一参数与所述第二参数为同一类型参数。如此，采用本发明实施例的技术方案，大大降低了较小区域并列布局两个以上相同元器件的情况下的干扰，为电子设备轻薄化的实现提供了解决方案。

附图说明