[发明专利]一种电子设备有效
| 申请号： | 201610109550.6 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105740572B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 肖启华 | 申请（专利权）人： | 联想（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 江宇;姚开丽 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子设备 | ||
1.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括类型相同的第一组件和第二组件；所述第一组件和所述第二组件之间的距离小于第一阈值；
所述第一组件的第一参数和所述第二组件的第二参数不同，以使得所述第一组件与所述第二组件通电后，所述第一组件的第一反映参数与所述第二组件的第二反映参数的差值在预设阈值范围内，和/或，所述第一反映参数的方向与所述第二反映参数的方向相反；
其中，所述第一参数与所述第二参数为同一类型参数。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一组件包括第一子组件和第二子组件，所述第一子组件、所述第二组件和所述第二子组件依次并列排布；所述第一子组件两端承载的第一电位、所述第二组件两端承载的第二电位和所述第二子组件两端承载的第三电位相等。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第一子组件的第一参数和所述第二子组件的第一参数相等，所述第二组件的第二参数小于所述第一子组件的第一参数和所述第二子组件的第一参数。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一组件和所述第二组件为场效应管MOSFET，所述第一参数和所述第二参数为MOSFET漏极与源极导通时漏极与源极之间的电阻。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一组件和所述第二组件为电感，所述第一参数和所述第二参数为电感内阻。
6.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一反映参数为所述第一组件通电后通过所述第一组件的电流；相应的，所述第二反映参数为所述第二组件通电后通过所述第二组件的电流；则所述第一反映参数与所述第二反映参数的差值为零。
7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一组件和所述第二组件并列排布；所述第一组件和所述第二组件中均包括线圈绕组，且所述第一组件中的线圈绕组的缠绕方向和所述第二组件中的线圈绕组的缠绕方向相同。
8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述第一组件和所述第二组件为电感；所述第一参数和所述第二参数分别为所述第一组件和所述第二组件的电流；
所述第一组件的第一参数和所述第二组件的第二参数不同为：所述第一组件的电流方向与所述第二组件的电流方向相反。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联想（北京）有限公司，未经联想（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610109550.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
