[发明专利]由背接触式太阳能电池加工成电池芯片的电极引出结构及方法在审
申请号: | 201610098151.4 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN105514179A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 李毅 | 申请(专利权)人: | 深圳市创益科技发展有限公司;深圳市创益新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所(普通合伙) 44233 | 代理人: | 张艺影 |
地址: | 518029 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 加工 电池 芯片 电极 引出 结构 方法 | ||
技术领域
本发明公开了一种背接触式太阳能电池被二次加工成电池芯片的电极引出结构及方法,属太阳能电池技术领域。
背景技术
目前,已商业化的硅太阳能电池发射区和发射区电极均位于电池正面,栅线电极所占面积已经很小(约为8%),但依然阻挡了部分阳光,影响电池有效受光面,导致转换效率降低。组件封装时,需要用涂锡带从一块电池的正面焊接到另一块电池的背面,这种连接方式使自动化生产的难度加大。为此,研究人员把正面电极转移到电池背面,开发出许多结构不同的背接触式太阳能电池(以下简称背接触电池或电池)。背接触式电池是指电池的发射区电极和基区电极均位于硅太阳能电池电池背面的一种硅太阳电池,背接触电池的优点在于消除了正面栅线电极的遮光损失,有效提高了电池利用率和转化效率;易组装,正负极均在背面,组件封装共面连接,电池片间隔减小,使封装密度提高,难度降低。电池的正面没有凃锡带,受光面均一、美观。美国公司SUNPOWER的专利技术US7339110B1给出了一种典型的背接触式电池,电池的正负极均位于电池的背面,正负极栅线呈交错布置,正负极呈间隔排列。背接触式电池不仅是用于大型电站的光伏组件,同时背接触式电池被切割成尺寸较小的背接触式的电池芯片(以下简称芯片),被广泛应用于消费类电子产品及小型电子产品中。现有技术,用背接触式电池制成芯片,是采用高精度PCB板对位的电极引出工艺,如中国专利申请号为201410283104.8和申请号为201380017058.1,用高精度PCB版为基底,完成背接触式电池切割及电极栅线与PCB板的电路串接引出,此材料成本和机械设备成本高昂。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在问题,特别是背接触式电池被精细加工成各种尺寸芯片,其电极引出的全新结构,已成为本领域技术人员亟待解决的关键技术。
鉴于此,本发明的首要目的是降低芯片加工成本,避免背接触电池二次加工切割过程中电极引出栅线偏差。
本发明的另一个目的是解决背接触电池被加工成芯片及电极引出的结构。
本发明的再一个目的是解决芯片的电极引出方法。
本发明的技术解决方案是:由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构,包括电池背光面上n+区的正极栅线和p+区负极栅线间隔排列,其技术特征是:在电池背光面上的每个芯片的正负电极引出端的相异极性栅线上分别覆盖绝缘层,其上还分别覆盖导电层,电极引出端结构由相异极性栅线上的导电层,实现栅线汇流导电层导通。
优选的
优选的,每个芯片栅线汇流、导通的电极引出端的导电层是覆盖在没有覆盖绝缘层的相异极性栅线上实现汇集电流和导通。
优选的,所述芯片的正负电极引出端的导电层是覆盖在相异极性栅线汇流层的绝缘膜上,包括一种可焊电极引出线的导电层,或采用导电型材包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材形成导电层。
优选的,所述芯片的可焊电极导电层,包括由铜浆、银浆、锡膏制备的。
优选的,所述芯片的正负电极引出端的绝缘层,是相异极性栅线电极引出端上的丝印绝缘油墨。
本发明由背接触式太阳能电池加工成电池芯片的电极引出的方法,采用以下方法:
包括制备绝缘层的基片,其特征在于在背接触电池的背电极面上,采用栅线绝缘涂层网版,掩膜丝网印刷工艺,把绝缘层浆料包括UV紫外光固型或热固型环氧树脂绝缘油墨丝印到基片的相应位置,形成拟切割出的每个芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层;UV紫外光固型的光固化温度设置为45~80°C,使用热固型环氧树脂绝缘油墨,固化温度设置为100~160°C。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的