[发明专利]由背接触式太阳能电池加工成电池芯片的电极引出结构及方法

权利要求书

1.由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构，该电极引出结构由电池基片的背光面上n+区正极栅线和p+区负极栅线间隔排列构成，其技术特征在于电池背光面n+区和p+区的每个芯片的正负电极引出端的相异极性栅线上分别有绝缘层，在其相异极性栅线的绝缘层上分别覆盖导电层，该导电层是所说每个芯片栅线汇流、导通的电极引出端的导电层，该导电层是覆盖在未覆盖绝缘层的相异极性栅线上以汇集电流导通。

2.根据权利要求1所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构，其特征在于所述的正负电极引出端的导电层是一种可焊电极引出线的可焊导电层或是一种免焊接电极引出线的导电层。

3.根据权利要求1所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构，其特征在于所述芯片的正负电极引出端为免焊接正负电极引出端的免焊层，该面焊层上还分布一层导电可焊层。

4.根据权利要求2所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构，其特征在于所说的一种可焊电极引出线的导电层是一种导电金属型材，包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带。

5.根据权利要求2所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构，其特征在于所说的可焊接电极引出线的导电层，主要包括由铜浆、银浆、锡膏材料制成的。

6.根据权利要求2所述的一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构，其特征在于所说的相异极性栅线上分别覆盖的绝缘层是一层绝缘油墨，以防相异性栅线之间错位。

7.一种由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，由电池基片的背光面上n+区的正极栅线和p+区负极栅线间隔排列构成，其特征在于采用栅线绝缘涂层网版，掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料丝印到背接触电池的背电极面的基片相应位置、固化，形成拟切割出的每个芯片的正负电极引出端的相异极性的栅线绝缘层；

在所说的制备好栅线绝缘层上采用栅线汇流导电层网版，掩膜丝网印刷工艺把导电层浆料丝印到背电极面的绝缘层的基片上、固化，形成拟切割出的每个芯片的正负电极引出端的导电层。

8.根据权利要求7所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说的绝缘层，采用UV紫外光固型光或热固型环氧树脂绝缘油墨绝缘层。

9.根据权利要求8所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说的绝缘层，采用UV紫外光固型光或热固型环氧树脂绝缘油墨绝缘层，其光固化温度设置为45~80°；使用热固型环氧树脂绝缘油墨，固化温度设置为100~160°C。

10.根据权利要求7所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说的导电层浆料，包括铜浆、银浆、锡膏；如导电层浆料为铜浆，采用0.06~0.15mm厚的钢板网丝印。

11.根据权利要求7或10所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说的采用铜浆的导电层，其固化温度分别设置为130~170°C。

12.根据权利要求7所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说的导电层由导电型材形成，包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带在内的导电金属带材料形成，用热压设备或静压设备将导电型材贴合到制备好的绝缘层的基片上形成导电层。

13.根据权利要求12所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带，将导电材料贴合到已制备好绝缘层的电池基片上。

14.根据权利要求7所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说的电极汇流导电层为一种免焊材料的导电层，在其导电层表面按每个电池芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸，在所说的免焊材料层上再丝印一层包括可焊铜浆、银浆、锡膏在内的可焊导电层。

15.根据权利要求7所述的由背接触式太阳能电池加工成芯片的电极引出结构的制造方法，其技术特征在于所说的切割出的每个芯片，用电烙铁在电极引出结构端焊接导线串联芯片构成组件或串并联芯片构成。