[发明专利]可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法在审
申请号: | 201610096147.4 | 申请日: | 2016-02-22 |
公开(公告)号: | CN107045220A | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 张裕洋;刘修铭;谷福田;陈家庆;丁定国 | 申请(专利权)人: | 位元奈米科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1334 | 分类号: | G02F1/1334;G02F1/13;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 梁丽超,陈鹏 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 透光 图案 变化 光学 复合 膜结构 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种光学复合膜的制造方法,尤指一种可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法。
背景技术
高分子分散液晶膜(Polymer Dispersed Liquid Crystal,PDLC)是由次微米大小的液晶微粒(Liquid Crystal droplet)均匀分散于高分子材质中所组成,由于其“可利用外加电场操作在光散射状态或光穿透状态”的机制,因此可使用于导电玻璃上,例如将PDLC封装于导电玻璃中,如此便可透过电场的变化(开关),使透光结构呈现透明或不透明的变化效果,此内建PDLC的导电玻璃即市场上所称之智能玻璃(Smart Windows)。
随着工艺技术与材料升级,PDLC的应用性已被大大地提升,例如,可利用软性导电透明塑料来封装高分子分散液晶,并结合透明黏合层以将此软性导电塑料结构贴合于建筑玻璃、车窗、冰柜、或投影墙上。为了在智能玻璃上呈现动态的透光变化,内建的PDLC复合层在制作时,须先依客户所需要的图案对透明导电膜进行线路蚀刻,而后再进行封装作业,始能利用电性操控产生图案变化。然而,现有的工艺仅能应用于片状PDLC复合层的加工,并无法达到连续性生产之效率,造成生产成本较高和生产周期较长。
发明内容
针对现有技术的不足之处,本发明之一目的在于提供一种可使用卷对卷(R2R)工艺技术以提高生产效率之可控制透光图案变化的光学复合膜结构之制造方法。
为达上述的目的,本发明采用以下技术方案:一种可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法,包括以下步骤:提供设定尺寸的一光学复合膜,其包括一高分子液晶分散层、形成于该高分子液晶分散(PDLC)层之一表面的第一透明导电层及形成于该第一透明导电层上的第一透明基板;对该光学复合膜进行图案化加工,移除该第一透明导电层的一部分以形成第一导电线路图案及多条由该第一导电线路图案的一侧弯折延伸而成的第一引线,再于该第一透明基板、该第一透明导电层及该高分子液晶分散层形成第一接线缺口;对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序;以及在该第一接线缺口处形成一电性接点。
优选地,在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤中,该光学复合膜还包括一形成于该高分子液晶分散层之另一表面的第二透明导电层及一形成于该第二透明导电层上的第二透明基板。
优选地,在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,还包括:移除该第二透明导电层的一部分以形成第二导电线路图案及多条由该第二导电线路图案之一侧弯折延伸而成的第二引线,再于该第二透明基板、该第二透明导电层及该高分子液晶分散层形成第二接线缺口。
优选地,在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分,以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线,再利用激光蚀刻方式在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。
优选地,在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中,是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分,以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线,再利用一切割刀具在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。
优选地,在对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序的步骤中,还包括:利用一清洁配方接触该第一接线缺口、该第一接线缺口的周边、该第二接线缺口及该第二接线缺口的周边。
优选地,在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤与对该光学复合膜进行图案化加工的步骤之间,还包括:利用该清洁配方接触该光学复合膜之周缘表面。
优选地,该清洁配方包括一有机溶剂,该有机溶剂包括醇、氨基化合物、醚或其等的组合,且该有机溶剂占该清洁配方中之大于80wt%。
优选地,在该第一接线缺口处形成间隔排列的电性接点的步骤中,还包括:在该第二接线缺口处形成一电性接点,且该第一接线缺口的该电性接点及该第二接线缺口的该电性接点是利用网印方式,并按设定的图案将一导电胶涂布于该第一接线缺口及该第二接线缺口内而形成。
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