[发明专利]可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法

权利要求书

1.一种可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其特征在于，所述可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法包括以下步骤：

提供设定尺寸的一光学复合膜，其包括一高分子液晶分散层、形成于该高分子液晶分散(PDLC)层的一表面的第一透明导电层及形成于该第一透明导电层上的第一透明基板；

对该光学复合膜进行图案化加工，移除该第一透明导电层的一部分以形成第一导电线路图案及由该第一导电线路图案的一侧弯折延伸而成的多条第一引线，再于该第一透明基板、该第一透明导电层及该高分子液晶分散层形成第一接线缺口；

对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序；以及

在该第一接线缺口处形成电性接点。

2.根据权利要求1所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤中，该光学复合膜还包括一形成于该高分子液晶分散层的另一表面的第二透明导电层及一形成于该第二透明导电层上的第二透明基板。

3.根据权利要求2所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中，还包括：移除该第二透明导电层的一部分以形成第二导电线路图案及由该第二导电线路图案的一侧弯折延伸而成的多条第二引线，再于该第二透明基板、该第二透明导电层及该高分子液晶分散层形成第二接线缺口。

4.根据权利要求3所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中，是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分，以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线，再利用激光蚀刻方式在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。

5.根据权利要求3所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中在对该光学复合膜进行图案化加工的步骤中，是利用激光蚀刻方式同时移除该第一透明导电层的一部分及该第二透明导电层的一部分，以形成该第一导电线路图案、该多条第一引线、该第二导电线路图案及该多条第二引线，再利用一切割刀具在该光学复合膜上裁切出该第一接线缺口及该第二接线缺口。

6.根据权利要求3所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中在对图案化后的该光学复合膜进行至少一次表面修复程序的步骤中，还包括：利用一清洁配方接触该第一接线缺口、该第一接线缺口的周边、该第二接线缺口及该第二接线缺口的周边。

7.根据权利要求6所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中在提供设定尺寸的该光学复合膜的步骤与对该光学复合膜进行图案化加工的步骤之间，还包括：利用该清洁配方接触该光学复合膜之周缘表面。

8.根据权利要求7所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中该清洁配方包括一有机溶剂，该有机溶剂包括醇、氨基化合物、醚或其等的组合，且该有机溶剂在该清洁配方中的含量大于80wt％。

9.根据权利要求6所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中在该第一接线缺口处形成间隔排列的电性接点的步骤中，还包括：在该第二接线缺口处形成一电性接点，且该第一接线缺口的该电性接点及该第二接线缺口的该电性接点是利用网印方式，并按设定的图案将一导电胶涂布于该第一接线缺口及该第二接线缺口内而形成。

10.根据权利要求1所述的可控制透光图案变化的光学复合膜结构的制造方法，其中第一透明导电层及第二透明导电层之材料为纳米碳管、聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)、纳米银、铟锡氧化物(ITO)、或其等的组合，第一透明导电层及第二透明导电层的厚度介于100nm至10μm，第一透明基板及第二透明基板之材料为聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚氨酯(PU)、或压克力，第一透明基板及第二透明基板之厚度介于10μm至500μm。