[发明专利]发光二极管及其制作方法

说明书

本发明公开了一种具有立体式扩展电极的发光二极管及其制作方法，其结构包括第一连接层、发光层、第二连接层，以及分别形成于所述第一连接层与第二连接层之上的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极包括电极主体和至少一个向外延伸的金属扩展部，所述金属扩展部与第一连接层的表面不完全接触，增加所述第一金属扩展部与所述发光层的距离，可降低金属电极的吸光，提升发光二极管元件效率，同时藉由三维结构的扩展电极可增加表面金属的表面积，进而增加元件的散热面积，使元件所产生的热能可更快被导出，降低元件的效率及可靠度的损耗。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件，具体为一种具有扩展电极的发光二极管及其制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED) 是一种半导体发光器件，利用半导体P-N 结电致发光原理制成。LED以其亮度高、低功耗、寿命长、功率小等优点，成为新一代光源首选。

目前大部分的发光二极管的电极均采用二维结构之设计，具体为紧黏附于电流传导层(TCL)/p、n型半导体层表面。在大尺寸的发光二极管中，为了让电流有较远的传导距离，电极部分增加条状(或者环状、网状等)延伸的扩展图案(finger)设计，其同样紧黏附于TCL/p、n型半导体层表面。但是由于电极结构的金属材质为不透光，会阻挡和/或吸光一定程度的光线，导致发光二极管的发光效率降低。图1为电极具有扩展结构的发光二极管示意图。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种具有扩展电极的发光二极管及其制作方法，该扩展电极与位于其下方连接层的表面不完全接触，增加扩展电极与发光层的距离，可有效降低光被扩展电极的吸收。

本发明解决上述问题的技术方案为：发光二极管，包括第一连接层、发光层、第二连接层，以及分别形成于所述第一连接层与第二连接层之上的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极包括电极主体和至少一个向外延伸的金属扩展部，所述金属扩展部与第一连接层的表面不完全接触，增加所述第一金属扩展部与所述发光层的距离。

优选的，所述第一连接层包括第一半导体和电流传导层，所述第二连接层包括第二半导体层。在一些实施例中，也可以第一连接层即为第一半导体层。

优选的，所述金属扩展部与所述第一连接层之间具有空隙。

优选的，所述金属扩展部邻近第一连接层的一侧部分悬空。

优选的，所述金属扩展部为金属线，具有两个接触点，第一接触点位于所述电极主体，第二接触点位于所述第一连接层的表面上，中间悬空。

本发明同时提供了一种发光二极管的制作方法，包括形成第一连接层、发光层和第第二连接，并分别在第一连接层和第二连接层的表面上制作第一金属电极和第二金属电极，其中所述形成的第一金属电极包括电极主体和至少一个向外延伸的金属扩展部，所述金属扩展部与第一连接层的表面不完全接触，增加所述第一金属扩展部与所述发光层的距离。

优选的，所述第一金属电极通过下面方法获得：首先在第一连接层的表面上制作所述电极主体，接着采用打线的方式制作所述金属扩展部。

优选的，分别以所述电极主体和第一连接层的表面为接触点，将金属线连接所述接触点，形成金属扩展部。

优选的，所述第一金属电极通过下面方法获得：首先在第一连接层的表面上形成掩膜图案，接着采用蒸镀的方式形成金属扩展部，移除所述掩膜图案。

优选的，所述第一金属电极通过下面方法获得：首先在第一连接层的表面上形成掩膜图案，接着采用蒸镀和电镀的方式形成所述第一金属电极，移除所述掩膜图案。

本发明至少具备以下有益效果：

（1）第一电极的部分金属扩展部与发光层的距离增加，可降低金属电极的吸光，提升发光二极管元件效率；